NP80N04KHE-E1-AY,Renesas Electronics America,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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NP80N04KHE-E1-AY
NP80N04KHE-E1-AY -
MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
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非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
制造商产品编号:
NP80N04KHE-E1-AY
仓库库存编号:
NP80N04KHE-E1-AY-ND
描述:
MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 1.8W(Ta),120W(Tc) TO-263
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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NP80N04KHE-E1-AY产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Renesas Electronics America
安装类型
表面贴装
工作温度
175°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-263
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
60nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
8 毫欧 @ 40A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
80A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3300pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
1.8W(Ta),120W(Tc)
漏源电压(Vdss)
40V
关键词
产品资料
数据列表
NP80N04xHE
标准包装
800
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制造商 Renesas Electronics America
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America
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安装类型 表面贴装
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包装 带卷(TR)
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零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-263
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技术 MOSFET(金属氧化物)
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 40A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),120W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 40V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 40V
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