规格：Vgs（最大值） ±8V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI5060
详细描述：表面贴装 P 沟道 80A（Tc） 3.2W PowerDI5060-8
型号：
DMPH1006UPS-13
仓库库存编号：
DMPH1006UPS-13-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Tc） 6W（Tc） 8-SOIC
型号：
SQ4005EY-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ4005EY-T1_GE3-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 39W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQS405EN-T1_GE3
仓库库存编号：
SQS405EN-T1_GE3-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 39W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQS405ENW-T1_GE3
仓库库存编号：
SQS405ENW-T1_GE3-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA413ADJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA413ADJ-T1-GE3-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 1.9W（Ta），6.5W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 双
型号：
SIA810DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA810DJ-T1-GE3-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS9431A_F085
仓库库存编号：
FDS9431A_F085CT-ND
别名：FDS9431A_F085CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.4A（Ta） 660mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
型号：
NTLUS3C18PZTAG
仓库库存编号：
NTLUS3C18PZTAG-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.4A（Ta） 660mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
型号：
NTLUS3C18PZTBG
仓库库存编号：
NTLUS3C18PZTBG-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 600mW（Ta） 6-TSOP
型号：
NVGS3130NT1G
仓库库存编号：
NVGS3130NT1G-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI5060
详细描述：表面贴装 P 沟道 80A（Tc） 3.2W PowerDI5060-8
型号：
DMPH1006UPSQ-13
仓库库存编号：
DMPH1006UPSQ-13-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 3.6W（Ta），33W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7405BDN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7405BDN-T1-E3-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5W（Ta） 8-TSSOP
型号：
SI6469DQ-T1-GE3
仓库库存编号：
SI6469DQ-T1-GE3-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 25A（Tc） 7.1W（Tc） 8-SOIC
型号：
SQ4153EY-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ4153EY-T1_GE3-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3A（Ta） 1.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
型号：
FDFMA2P857
仓库库存编号：
FDFMA2P857CT-ND
别名：FDFMA2P857CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.3A（Tc） 1.7W（Tc） 6-TSOP
型号：
SQ3442EV-T1-GE3
仓库库存编号：
SQ3442EV-T1-GE3CT-ND
别名：SQ3442EV-T1-GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 5.1A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
型号：
SI3460DV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3460DV-T1-GE3-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 32A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ401EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ401EP-T1_GE3-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 7.2A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
型号：
SI6413DQ-T1-GE3
仓库库存编号：
SI6413DQ-T1-GE3-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 11A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4866DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4866DY-T1-GE3-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4421DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4421DY-T1-GE3-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4423DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4423DY-T1-GE3-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4451DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4451DY-T1-E3-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4451DY-T1-GE3
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规格：Vgs（最大值） ±8V,
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MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4838DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4838DY-T1-GE3-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
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