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FDS9431A_F085 - 

MOSFET P-CH 20V 8-SOIC

  • 不提供增值包装;备有另选包装。
Fairchild/ON Semiconductor FDS9431A_F085
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FDS9431A_F085
仓库库存编号:
FDS9431A_F085CT-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

FDS9431A_F085产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  汽车级,AEC-Q101  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  8-SO  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±8V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  8.5nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  130 毫欧 @ 3.5A,4.5V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  2.5V,4.5V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  3.5A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  405pF @ 10V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  2.5W(Ta)  
  漏源电压(Vdss)  20V  
关键词         

产品资料
数据列表 FDS9431A_F085
标准包装 1
其它名称 FDS9431A_F085CT

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