规格：Vgs（最大值） ±8V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA477EDJT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA477EDJT-T1-GE3CT-ND
别名：SIA477EDJT-T1-GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
型号：
TSM2323CX RFG
仓库库存编号：
TSM2323CX RFGTR-ND
别名：TSM2323CX RFGTR
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
型号：
TSM2323CX RFG
仓库库存编号：
TSM2323CX RFGCT-ND
别名：TSM2323CX RFGCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
型号：
TSM2323CX RFG
仓库库存编号：
TSM2323CX RFGDKR-ND
别名：TSM2323CX RFGDKR
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 20-V (G-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 5W（Tc） 8-SOIC
型号：
SI4403DDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4403DDY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4403DDY-T1-GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 20V SOT23-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6W（Tc） SOT-23-6
型号：
STT5N2VH5
仓库库存编号：
497-13786-1-ND
别名：497-13786-1
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 4.2W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3473CDV-T1-E3
仓库库存编号：
SI3473CDV-T1-E3CT-ND
别名：SI3473CDV-T1-E3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-23
型号：
DMG2301L-13
仓库库存编号：
DMG2301L-13-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 700mA（Ta） 900mW（Ta） 3-DFN（1.0 x 0.60）
型号：
AON1605
仓库库存编号：
AON1605-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 700mA（Ta） 900mW（Ta） 3-DFN（1.0 x 0.60）
型号：
AON1606
仓库库存编号：
AON1606-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-23
型号：
DMG2301L-7
仓库库存编号：
DMG2301L-7-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.2A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23
型号：
DMG2305UXQ-13
仓库库存编号：
DMG2305UXQ-13-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
型号：
RUE002N05TL
仓库库存编号：
RUE002N05TL-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 610mA（Ta） 220mW（Ta） SC-75A
型号：
SI1002R-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1002R-T1-GE3-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 940mW SOT-23-3
型号：
DMN2056U-13
仓库库存编号：
DMN2056U-13-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.2A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23
型号：
DMG2305UXQ-7
仓库库存编号：
DMG2305UXQ-7-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 0.7A SC70
详细描述：表面贴装 N 沟道 700mA（Ta） 280mW（Tj） SC-70-3（SOT323）
型号：
NVS4409NT1G
仓库库存编号：
NVS4409NT1G-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 1.25W（Ta） PowerPAK? 0806
型号：
SIUD402ED-T1-GE3
仓库库存编号：
SIUD402ED-T1-GE3-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 940mW SOT-23-3
型号：
DMN2056U-7
仓库库存编号：
DMN2056U-7-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.32A（Ta） 468mW（Ta） X1-DFN1006-3
型号：
DMN2300UFB-7B
仓库库存编号：
DMN2300UFB-7BDI-ND
别名：DMN2300UFB-7BDI
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 630mW（Ta） SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
NTJS4405NT1G
仓库库存编号：
NTJS4405NT1GOSCT-ND
别名：NTJS4405NT1GOSCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 2A SC70-6L
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 350mW（Ta） SC-70-6
型号：
AO7408
仓库库存编号：
AO7408-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 400mW（Ta），8.33W（Tc） DFN1010D-3
型号：
PMXB40UNEZ
仓库库存编号：
PMXB40UNEZ-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 300MA 3DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 300mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
型号：
NX3008PBKMB,315
仓库库存编号：
1727-1235-1-ND
别名：1727-1235-1
568-10440-1
568-10440-1-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 940mW（Ta） TO-236AB
型号：
PMV65UNEAR
仓库库存编号：
PMV65UNEAR-ND
别名：934070691215
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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