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RUE002N05TL - 

MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3

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Rohm Semiconductor RUE002N05TL
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
RUE002N05TL
仓库库存编号:
RUE002N05TL-ND
描述:
MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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RUE002N05TL产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-75,SOT-416  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  EMT3  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±8V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  -  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  1.2V,4.5V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  200mA(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  25pF @ 10V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1V @ 1mA  
  功率耗散(最大值)  150mW(Ta)  
  漏源电压(Vdss)  50V  
关键词         

产品资料
数据列表 RUE002N05
标准包装 3,000

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