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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 61.8A（Ta） 400W（Tc） TO-247
  
  型号：TK62N60W,S1VF
  仓库库存编号：TK62N60WS1VF-ND
  别名：TK62N60W,S1VF(S
  TK62N60WS1VF
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 1890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB110N60P3
  仓库库存编号：IXFB110N60P3-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 1000W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK24N100Q3
  仓库库存编号：IXFK24N100Q3-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB44N100Q3
  仓库库存编号：IXFB44N100Q3-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 44A（Tc） 450W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT5010JVRU2
  仓库库存编号：APT5010JVRU2-ND
  别名：APT5010JVRU2MI
  APT5010JVRU2MI-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB70N60Q2
  仓库库存编号：IXFB70N60Q2-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 103A（Tc） 960W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT100M50J
  仓库库存编号：APT100M50J-ND
  别名：APT100M50JMI
  APT100M50JMI-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 35A（Tc） 960W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT34M120J
  仓库库存编号：APT34M120J-ND
  别名：APT34M120JMI
  APT34M120JMI-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 30A（Tc） 800W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN30N100L
  仓库库存编号：IXTN30N100L-ND
  别名：Q3424174
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 37A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT10021JFLL
  仓库库存编号：APT10021JFLL-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 3A PWRFLAT 5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 38W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL4LN80K5
  仓库库存编号：497-17146-1-ND
  别名：497-17146-1
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V KPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD4LN80K5
  仓库库存编号：497-17290-1-ND
  别名：497-17290-1
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD8N60DM2
  仓库库存编号：497-16930-1-ND
  别名：497-16930-1
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD4N90K5
  仓库库存编号：497-17069-1-ND
  别名：497-17069-1
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 8.35W（Ta） ITO-220AB
  
  型号：DMG4N65CTI
  仓库库存编号：DMG4N65CTIDI-ND
  别名：DMG4N65CTIDI
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHB6N65E-GE3CT-ND
  别名：SIHB6N65E-GE3CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 45W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU3LN80K5
  仓库库存编号：497-17295-ND
  别名：497-17295
  STU3LN80K5-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 2.19W（Ta） TO-220-3
  
  型号：DMG4N65CT
  仓库库存编号：DMG4N65CTDI-ND
  别名：DMG4N65CTDI
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 60W（Tc） TO-220
  
  型号：STP4LN80K5
  仓库库存编号：497-17294-ND
  别名：497-17294
  STP4LN80K5-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220 FLPK
  详细描述：通孔 N 沟道 5.3A（Tc） 30W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF5N50D-E3
  仓库库存编号：SIHF5N50D-E3-ND
  别名：SIHF5N50D-E3CT
  SIHF5N50D-E3CT-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 278W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT12N60
  仓库库存编号：785-1192-5-ND
  别名：785-1192-5
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 13W（Tc） ITO-220AB
  
  型号：DMG9N65CTI
  仓库库存编号：DMG9N65CTIDI-ND
  别名：DMG9N65CTIDI
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC30ASPBF
  仓库库存编号：IRFBC30ASPBF-ND
  别名：*IRFBC30ASPBF
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 55W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY2N65X2
  仓库库存编号：IXTY2N65X2-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP8N65X2
  仓库库存编号：IXTP8N65X2-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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