STD8N60DM2,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

STD8N60DM2 - 

N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,

STMicroelectronics STD8N60DM2
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
STD8N60DM2
仓库库存编号:
497-16930-1-ND
描述:
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 85W(Tc) DPAK
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

STD8N60DM2产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  MDmesh??  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  DPAK  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  13.5nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  600 毫欧 @ 4A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  8A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  375pF @ 100V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  5V @ 100μA  
  功率耗散(最大值)  85W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  600V  
关键词         

产品资料
数据列表 Power Management Guide Brochure
STD8N60DM2 Datasheet
应用说明 Power MOSFET Avalanche Characteristics
Paralleling of Pwr MOSFETs in PFC Topology
Fishbone Diagram for Pwr Factor Correction
MOSFET Recovery in a Phase-Shifted ZVS DC/DC Converter
LLC Converters, Primary Side MOSFET Selection
Avalanche Issue: Comparing IAR,EAS Parameters
标准包装 1
其它名称 497-16930-1

STD8N60DM2您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

STD8N60DM2相关搜索

封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C(TJ)  STMicroelectronics 工作温度 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)   系列 MDmesh??  STMicroelectronics 系列 MDmesh??  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 MDmesh??  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 MDmesh??   包装 剪切带(CT)   STMicroelectronics 包装 剪切带(CT)   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)   STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)    零件状态 在售  STMicroelectronics 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 DPAK  STMicroelectronics 供应商器件封装 DPAK  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK   技术 MOSFET(金属氧化物)  STMicroelectronics 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   Vgs(最大值) ±30V  STMicroelectronics Vgs(最大值) ±30V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13.5nC @ 10V  STMicroelectronics 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13.5nC @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13.5nC @ 10V  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13.5nC @ 10V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 4A,10V  STMicroelectronics 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 4A,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 4A,10V  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 4A,10V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  STMicroelectronics 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V   FET 类型 N 沟道  STMicroelectronics FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc)  STMicroelectronics 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc)  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 375pF @ 100V  STMicroelectronics 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 375pF @ 100V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 375pF @ 100V  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 375pF @ 100V   FET 功能 -  STMicroelectronics FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100μA  STMicroelectronics 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100μA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100μA  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100μA   功率耗散(最大值) 85W(Tc)  STMicroelectronics 功率耗散(最大值) 85W(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 85W(Tc)  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 85W(Tc)   漏源电压(Vdss) 600V  STMicroelectronics 漏源电压(Vdss) 600V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 600V  STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 600V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号