规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 24A(Tc) 415W(Tc) D3Pak
型号:
APT23F60S
仓库库存编号:
APT23F60S-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 24A(Tc) 335W(Tc) D3Pak
型号:
APT24F50S
仓库库存编号:
APT24F50S-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 30A(Tc) 520W(Tc) D3Pak
型号:
APT28F60S
仓库库存编号:
APT28F60S-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 12A(Tc) 337W(Tc) D3Pak
型号:
APT11F80S
仓库库存编号:
APT11F80S-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 35A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 35A(Tc) 403W(Tc) TO-247
型号:
APT5014SLLG/TR
仓库库存编号:
APT5014SLLG/TR-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 18A(Tc) 565W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT12067B2LLG
仓库库存编号:
APT12067B2LLG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 17A(Tc) 460W(Tc) SOT-227
型号:
APT12067JLL
仓库库存编号:
APT12067JLL-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 19A(Tc) 520W(Tc) SOT-227
型号:
APT12057JLL
仓库库存编号:
APT12057JLL-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 19A(Tc) 500W(Tc) D3Pak
型号:
APT18M80S
仓库库存编号:
APT18M80S-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 208W(Tc) TO-220
型号:
AOT10T60L
仓库库存编号:
785-1635-5-ND
别名:785-1635-5
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 43W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF10T60
仓库库存编号:
785-1637-5-ND
别名:785-1637-5
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11.5A(Ta) 104W(Tc) 5-DFN(8x8)
型号:
TK12V60W,LVQ
仓库库存编号:
TK12V60WLVQCT-ND
别名:TK12V60WLVQCT
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 15.8A(Ta) 139W(Tc) 5-DFN(8x8)
型号:
TK16V60W,LVQ
仓库库存编号:
TK16V60WLVQCT-ND
别名:TK16V60WLVQCT
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
详细描述:通孔 P 沟道 40V 50mA(Ta) 375mW(Ta) TO-72
型号:
3N163
仓库库存编号:
3N163-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
详细描述:通孔 P 沟道 40V 50mA(Ta) 375mW(Ta) TO-72
型号:
3N163-2
仓库库存编号:
3N163-2-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
详细描述:通孔 P 沟道 40V 50mA(Ta) 375mW(Ta) TO-72
型号:
3N163-E3
仓库库存编号:
3N163-E3-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50MA TO-206AF
详细描述:通孔 P 沟道 30V 50mA(Ta) 375mW(Ta) TO-72
型号:
3N164
仓库库存编号:
3N164-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 21A(Tc) 330W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP21N60L
仓库库存编号:
IRFP21N60L-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 22A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 22A(Tc) 370W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP22N60K
仓库库存编号:
IRFP22N60K-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 26A(Tc) 470W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP26N60L
仓库库存编号:
IRFP26N60L-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 38A(Tc) 540W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS38N60L
仓库库存编号:
IRFPS38N60L-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 40A(Tc) 570W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS40N60K
仓库库存编号:
IRFPS40N60K-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 29A(Tc) 250W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB30N60E-E3
仓库库存编号:
SIHB30N60E-E3-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 6A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
FDD6N50TM
仓库库存编号:
FDD6N50TM-5-ND
别名:FDD6N50TM-5
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4A(Tc) 125W(Tc) TO-251A
型号:
AOI4C60
仓库库存编号:
785-1648-5-ND
别名:785-1648-5
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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