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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 12A（Tc） 360W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV12N80P
  仓库库存编号：IXFV12N80P-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220-S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 12A（Tc） 360W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV12N80PS
  仓库库存编号：IXFV12N80PS-ND
  
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  MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 14A（Tc） 400W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV14N80P
  仓库库存编号：IXFV14N80P-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220-S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 14A（Tc） 400W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV14N80PS
  仓库库存编号：IXFV14N80PS-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220-S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 16A（Tc） 460W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV16N80PS
  仓库库存编号：IXFV16N80PS-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 20A（Tc） 500W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV20N80PS
  仓库库存编号：IXFV20N80PS-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 66A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX66N50Q2
  仓库库存编号：IXFX66N50Q2-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 230W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
  
  型号：IXTA80N10T7
  仓库库存编号：IXTA80N10T7-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 101A（Tc） 160W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC200N10T
  仓库库存编号：IXTC200N10T-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 12A（Tc） 500W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH12N120
  仓库库存编号：IXTH12N120-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 200A（Tc） 550W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV200N10T
  仓库库存编号：IXTV200N10T-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 200A（Tc） 550W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXTV200N10TS
  仓库库存编号：IXTV200N10TS-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.8A（Tc） 89W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY5N50P
  仓库库存编号：IXTY5N50P-ND
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 3A（Ta） 125W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：2SK2719(F)
  仓库库存编号：2SK2719(F)-ND
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 900V 8A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 8A（Ta） 85W（Tc） TO-3P（N）IS
  
  型号：2SK2847(F)
  仓库库存编号：2SK2847(F)-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Ta） 80W（Tc） TO-3P（N）IS
  
  型号：2SK2916(F)
  仓库库存编号：2SK2916(F)-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 18A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 18A（Ta） 90W（Tc） TO-3P（N）IS
  
  型号：2SK2917(F)
  仓库库存编号：2SK2917(F)-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Ta） 100W（Tc） TO-220SM
  
  型号：2SK3068(TE24L,Q)
  仓库库存编号：2SK3068(TE24L,Q)-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P(L)
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 50A（Ta） 250W（Tc） TO-3P（L）
  
  型号：2SK3132(Q)
  仓库库存编号：2SK3132(Q)-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5.5A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD6N50FTF
  仓库库存编号：FDD6N50FTFCT-ND
  别名：FDD6N50FTFCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：2SK3565(Q,M)
  仓库库存编号：2SK3565QM-ND
  别名：2SK3565(Q)
  2SK3565(Q)-ND
  2SK3565Q
  2SK3565Q-ND
  2SK3565QM
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 52A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 52A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF52N20T
  仓库库存编号：FDPF52N20T-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RDX045N60FU6
  仓库库存编号：RDX045N60FU6-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Ta） 35W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RDX050N50FU6
  仓库库存编号：RDX050N50FU6-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6A（Ta） 40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RDX060N60FU6
  仓库库存编号：RDX060N60FU6-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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