规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 25A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT10035JLL
仓库库存编号:
APT10035JLL-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 109A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 109A(Tc) 480W(Tc) SP1
型号:
APTML20UM18R010T1AG
仓库库存编号:
APTML20UM18R010T1AG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 154A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 154A(Tc) 480W(Tc) SP1
型号:
APTML10UM09R004T1AG
仓库库存编号:
APTML10UM09R004T1AG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 44A(Tc) 450W(Tc) SOT-227
型号:
APT5010JVRU3
仓库库存编号:
APT5010JVRU3-ND
别名:APT5010JVRU3MI
APT5010JVRU3MI-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 71A(Tc) 595W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT50M50JLL
仓库库存编号:
APT50M50JLL-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 500V 58A(Tc) 730W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APL502B2G
仓库库存编号:
APL502B2G-ND
别名:APL502B2GMI
APL502B2GMI-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 1100V 24A(Tc) 500W(Tc) SMPD
型号:
MMIX1F40N110P
仓库库存编号:
MMIX1F40N110P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 600V 49A(Tc) 730W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APL602B2G
仓库库存编号:
APL602B2G-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 30A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN30N120P
仓库库存编号:
IXFN30N120P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 33A(Tc) 960W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT32F120J
仓库库存编号:
APT32F120J-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1100V 34A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN40N110P
仓库库存编号:
IXFN40N110P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 30A(Tc) 800W(Tc) PLUS264?
型号:
IXTB30N100L
仓库库存编号:
IXTB30N100L-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 49A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 49A(Tc) 730W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APL602LG
仓库库存编号:
APL602LG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 84A(Tc) 960W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT80M60J
仓库库存编号:
APT80M60J-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1100V 36A(Tc) 1000W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN36N110P
仓库库存编号:
IXFN36N110P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 45A(Tc) 960W(Tc) SOT-227
型号:
APT45M100J
仓库库存编号:
APT45M100J-ND
别名:APT45M100JMI
APT45M100JMI-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 62A(Tc) 800W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN62N50L
仓库库存编号:
IXTN62N50L-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 32A(Tc) 1000W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN32N120P
仓库库存编号:
IXFN32N120P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 84A(Tc) 961W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT80F60J
仓库库存编号:
APT80F60J-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
详细描述:底座安装 N 沟道 2500V 5A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN5N250
仓库库存编号:
IXTN5N250-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 31A(Tc) 657W(Tc) SP1
型号:
APTM120DA30CT1G
仓库库存编号:
APTM120DA30CT1G-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 175A(Tc) 700W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT20M11JVR
仓库库存编号:
APT20M11JVR-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 58A(Tc) 595W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT60M75JLL
仓库库存编号:
APT60M75JLL-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 300V 130A(Tc) 700W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT30M19JVR
仓库库存编号:
APT30M19JVR-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 278A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 278A(Tc) 780W(Tc) SP4
型号:
APTM10DAM05TG
仓库库存编号:
APTM10DAM05TG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
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