APT30M19JVR,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

APT30M19JVR - 

MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227

  • 非库存货
Microsemi Corporation APT30M19JVR
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
APT30M19JVR
仓库库存编号:
APT30M19JVR-ND
描述:
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
底座安装 N 沟道 300V 130A(Tc) 700W(Tc) ISOTOP?
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

APT30M19JVR产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-227-4,miniBLOC  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  POWER MOS V?  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  ISOTOP?  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  975nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  19 毫欧 @ 500mA,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  130A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  21600pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4V @ 5mA  
  功率耗散(最大值)  700W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  300V  
关键词         

产品资料
数据列表 APT30M19JVR
Power Products Catalog
标准包装 1

APT30M19JVR相关搜索

封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC  Microsemi Corporation 封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 安装类型 底座安装  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 底座安装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Microsemi Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 POWER MOS V?  Microsemi Corporation 系列 POWER MOS V?  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 POWER MOS V?  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 POWER MOS V?   包装 管件   Microsemi Corporation 包装 管件   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件   Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 ISOTOP?  Microsemi Corporation 供应商器件封装 ISOTOP?  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 ISOTOP?  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 ISOTOP?   技术 MOSFET(金属氧化物)  Microsemi Corporation 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   Vgs(最大值) ±30V  Microsemi Corporation Vgs(最大值) ±30V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 975nC @ 10V  Microsemi Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 975nC @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 975nC @ 10V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 975nC @ 10V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 19 毫欧 @ 500mA,10V  Microsemi Corporation 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 19 毫欧 @ 500mA,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 19 毫欧 @ 500mA,10V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 19 毫欧 @ 500mA,10V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  Microsemi Corporation 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V   FET 类型 N 沟道  Microsemi Corporation FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 130A(Tc)  Microsemi Corporation 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 130A(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 130A(Tc)  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 130A(Tc)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 21600pF @ 25V  Microsemi Corporation 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 21600pF @ 25V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 21600pF @ 25V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 21600pF @ 25V   FET 功能 -  Microsemi Corporation FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 5mA  Microsemi Corporation 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 5mA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 5mA  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 5mA   功率耗散(最大值) 700W(Tc)  Microsemi Corporation 功率耗散(最大值) 700W(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 700W(Tc)  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 700W(Tc)   漏源电压(Vdss) 300V  Microsemi Corporation 漏源电压(Vdss) 300V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 300V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 300V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号