规格:Vgs(最大值) ±30V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(4588)
分立半导体产品
(4588)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(315)
Diodes Incorporated(31)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(782)
Fairchild/ON Semiconductor(152)
Global Power Technologies Group(133)
Infineon Technologies(159)
IXYS(686)
Kionix Inc.(68)
Microchip Technology(19)
Microsemi Corporation(147)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(201)
Nexperia USA Inc.(7)
NXP USA Inc.(1)
ON Semiconductor(181)
Panasonic - ATG(1)
Panasonic Electronic Components(2)
Panasonic Industrial Automation Sales(5)
Renesas Electronics America(84)
Rohm Semiconductor(52)
Sanken(16)
STMicroelectronics(644)
Taiwan Semiconductor Corporation(203)
Toshiba Semiconductor and Storage(226)
Vishay BC Components(62)
Vishay Beyschlag(225)
Vishay Electro-Films(74)
Vishay Huntington Electric Inc.(19)
Vishay Semiconductor Diodes Division(10)
Vishay Semiconductor Opto Division(5)
Vishay Sfernice(19)
Vishay Siliconix(48)
Vishay Spectrol(5)
Vishay Thin Film(3)
Vishay Vitramon(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 50A(Tc) 660W(Tc) TO-268
型号:
IXFT50N60X
仓库库存编号:
IXFT50N60X-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 35A(Ta) 270W(Tc) TO-247
型号:
TK35N65W5,S1F
仓库库存编号:
TK35N65W5S1F-ND
别名:TK35N65W5,S1F(S
TK35N65W5,S1F-ND
TK35N65W5S1F
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 20A(Tc) 660W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH20N100P
仓库库存编号:
IXFH20N100P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 14A(Tc) 500W(Tc) D3Pak
型号:
APT14F100S
仓库库存编号:
APT14F100S-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 73A(Tc) 520W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG73N60E-E3
仓库库存编号:
SIHG73N60E-E3-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 66A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 66A(Tc) 400W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH66N20Q
仓库库存编号:
IXFH66N20Q-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1500V 3A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 3A(Tc) 250W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH3N150
仓库库存编号:
IXTH3N150-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10.5A(Tc) 200W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR18N90P
仓库库存编号:
IXFR18N90P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 13A(Tc) 208W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR24N80P
仓库库存编号:
IXFR24N80P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 18A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 18A(Tc) 500W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT17F80B
仓库库存编号:
APT17F80B-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述:通孔 N 沟道 650V 64A(Tc) 520W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG64N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHG64N65E-GE3-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 50A(Tc) 660W(Tc) TO-247
型号:
IXFH50N60X
仓库库存编号:
IXFH50N60X-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 25A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 25A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT24M80B
仓库库存编号:
APT24M80B-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 23A(Tc) 625W(Tc) D3Pak
型号:
APT22F80S
仓库库存编号:
APT22F80S-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 2A(Tc) 290W(Tc) TO-247
型号:
IXTH2N150L
仓库库存编号:
IXTH2N150L-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 56A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 56A(Tc) 300W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT20M45BVRG
仓库库存编号:
APT20M45BVRG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 20A(Tc) 660W(Tc) TO-268
型号:
IXFT20N100P
仓库库存编号:
IXFT20N100P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 17A(Tc) 625W(Tc) D3Pak
型号:
APT17F100S
仓库库存编号:
APT17F100S-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH20N60Q
仓库库存编号:
IXFH20N60Q-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 23A(Tc) 400W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH23N60Q
仓库库存编号:
IXFH23N60Q-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 3A(Tc) 125W(Tc) TO-247
型号:
IXTJ6N150
仓库库存编号:
IXTJ6N150-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 32A(Tc) 830W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX32N80P
仓库库存编号:
IXFX32N80P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 40A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 40A(Tc) 300W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT30M85BVRG
仓库库存编号:
APT30M85BVRG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 24A(Tc) 208W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR44N50P
仓库库存编号:
IXFR44N50P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 32A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 32A(Tc) 830W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK32N80P
仓库库存编号:
IXFK32N80P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号