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TK35N65W5,S1F - 

MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

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Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W5,S1F
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制造商产品编号:
TK35N65W5,S1F
仓库库存编号:
TK35N65W5S1F-ND
描述:
MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 650V 35A(Ta) 270W(Tc) TO-247
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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TK35N65W5,S1F产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-247-3  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  通孔  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  DTMOSIV  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-247  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  115nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  95 毫欧 @ 17.5A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  35A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  4100pF @ 300V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4.5V @ 2.1mA  
  功率耗散(最大值)  270W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  650V  
关键词         

产品资料
数据列表 TK35N65W5
标准包装 30
其它名称 TK35N65W5,S1F(S
TK35N65W5,S1F-ND
TK35N65W5S1F

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