产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号:
RJH60F0DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60F0DPK-00#T0-ND
别名:RJH60F0DPK00T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 75A 200W TO-247
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-247
型号:
RJH60D5BDPQ-E0#T2
仓库库存编号:
RJH60D5BDPQ-E0#T2-ND
别名:RJH60D5BDPQE0T2
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 300W TO3P
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号:
RJH60D7DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60D7DPK-00#T0-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 85A 297.6W TO247A
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-247A
型号:
RJH60F6DPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH60F6DPQ-A0#T0-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 300W TO-3P
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号:
RJH60D7ADPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60D7ADPK-00#T0-ND
别名:RJH60D7ADPK00T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 6A 25W TO220FP
详细描述:IGBT 600V 6A 25W Through Hole TO-220FP
型号:
STGF3NB60FD
仓库库存编号:
497-2651-5-ND
别名:497-2651-5
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
含铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 6A 68W TO220
详细描述:IGBT 600V 6A 68W Through Hole TO-220AB
型号:
STGP3NB60FD
仓库库存编号:
497-2652-5-ND
别名:497-2652-5
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 6A 68W TO220
详细描述:IGBT 600V 6A 68W Through Hole TO-220AB
型号:
STGP3NB60F
仓库库存编号:
497-2653-5-ND
别名:497-2653-5
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 14A 80W TO220
详细描述:IGBT 600V 14A 80W Through Hole TO-220AB
型号:
STGP7NB60KD
仓库库存编号:
497-4112-5-ND
别名:497-4112-5
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 14A 80W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 14A 80W Surface Mount D2PAK
型号:
STGB7NB60HDT4
仓库库存编号:
497-4107-1-ND
别名:497-4107-1
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 30A 125W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 30A 125W Surface Mount D2PAK
型号:
STGB12NB60KDT4
仓库库存编号:
497-4350-1-ND
别名:497-4350-1
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 10A 50W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 10A 50W Surface Mount D2PAK
型号:
STGB3NB60KDT4
仓库库存编号:
STGB3NB60KDT4-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 14A 80W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 14A 80W Surface Mount D2PAK
型号:
STGB7NB60KDT4
仓库库存编号:
STGB7NB60KDT4-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 30A 125W TO220
详细描述:IGBT 600V 30A 125W Through Hole TO-220AB
型号:
STGP12NB60HD
仓库库存编号:
STGP12NB60HD-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
IGBT 600V 30A 125W TO220
详细描述:IGBT 600V 30A 125W Through Hole TO-220AB
型号:
STGP12NB60K
仓库库存编号:
STGP12NB60K-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 30A 125W TO220
详细描述:IGBT 600V 30A 125W Through Hole TO-220AB
型号:
STGP12NB60KD
仓库库存编号:
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产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
IGBT 600V 10A 50W TO220
详细描述:IGBT 600V 10A 50W Through Hole TO-220AB
型号:
STGP3NB60K
仓库库存编号:
STGP3NB60K-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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IGBT 600V 10A 50W TO220
详细描述:IGBT 600V 10A 50W Through Hole TO-220AB
型号:
STGP3NB60KD
仓库库存编号:
STGP3NB60KD-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
IGBT 600V 14A 80W TO220
详细描述:IGBT 600V 14A 80W Through Hole TO-220AB
型号:
STGP7NB60HD
仓库库存编号:
STGP7NB60HD-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Toshiba Semiconductor and Storage
IGBT 400V 1W 8-SOIC
详细描述:IGBT 400V 1W Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
型号:
GT10G131(TE12L,Q)
仓库库存编号:
GT10G131(TE12L,Q)-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Toshiba Semiconductor and Storage
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
详细描述:IGBT 600V 10A 60W Surface Mount TO-220SM
型号:
GT10J312(Q)
仓库库存编号:
GT10J312(Q)-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Toshiba Semiconductor and Storage
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
详细描述:IGBT 1000V 60A 170W Through Hole TO-3P(LH)
型号:
GT60N321(Q)
仓库库存编号:
GT60N321(Q)-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IGBT 400V 600MW 8TSSOP
详细描述:IGBT 400V 600mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
GT8G133(TE12L,Q)
仓库库存编号:
GT8G133(TE12L,Q)-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Toshiba Semiconductor and Storage
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
详细描述:IGBT 600V 50A 240W Through Hole TO-3P(LH)
型号:
GT50J121(Q)
仓库库存编号:
GT50J121(Q)-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
IGBT 1200V 10A 55W IPAK
详细描述:IGBT 1200V 10A 55W Through Hole I-Pak
型号:
STGD7NB120S-1
仓库库存编号:
STGD7NB120S-1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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