关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
制造商	STMicroelectronics
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	PowerMESH??
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	I-Pak
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	55W
Current - Collector (Ic) (Max)	10A
测试条件	960V，7A，1 千欧，15V
开关能量	15mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	20A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.1V @ 15V，7A
25°C 时 Td（开/关）值	570ns/-
栅极电荷	29nC
关键词

产品资料

数据列表	STGD7NB120S-1
标准包装	75

封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 PowerMESH??  STMicroelectronics 系列 PowerMESH??  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 PowerMESH??  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 PowerMESH??   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 I-Pak  STMicroelectronics 供应商器件封装 I-Pak  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 I-Pak  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 I-Pak   输入类型 标准  STMicroelectronics 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 55W  STMicroelectronics Power - Max 55W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 55W  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 55W   Current - Collector (Ic) (Max) 10A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 10A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 10A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 10A   测试条件 960V，7A，1 千欧，15V  STMicroelectronics 测试条件 960V，7A，1 千欧，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 960V，7A，1 千欧，15V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 960V，7A，1 千欧，15V   开关能量 15mJ（关）  STMicroelectronics 开关能量 15mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 15mJ（关）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 15mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 20A  STMicroelectronics Current - Collector Pulsed (Icm) 20A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 20A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 20A   IGBT 类型 -  STMicroelectronics IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，7A  STMicroelectronics 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，7A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，7A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，7A   25°C 时 Td（开/关）值 570ns/-  STMicroelectronics 25°C 时 Td（开/关）值 570ns/-  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 570ns/-  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 570ns/-   栅极电荷 29nC  STMicroelectronics 栅极电荷 29nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 29nC  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 29nC