产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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Renesas Electronics America
IGBT 1200V 50A 245W TO-3P
详细描述:IGBT Trench 1200V 50A 245W Through Hole TO-3P
型号:
RJH1CV5DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH1CV5DPK-00#T0-ND
别名:RJH1CV5DPK00T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A
详细描述:IGBT Trench 600V 85A 297.6W Through Hole TO-247A
型号:
RJH60F6BDPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH60F6BDPQ-A0#T0-ND
别名:RJH60F6BDPQA0T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM
详细描述:IGBT Trench 600V 60A 41.2W Through Hole TO-3PFM
型号:
RJP60F4DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJP60F4DPM-00#T1-ND
别名:RJP60F4DPM00T1
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 1200V 60A 290W TO-3P
详细描述:IGBT Trench 1200V 60A 290W Through Hole TO-3P
型号:
RJH1CV6DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH1CV6DPK-00#T0-ND
别名:RJH1CV6DPK00T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 300W TO-247
详细描述:IGBT Trench 600V 90A 300W Through Hole TO-247
型号:
RJH60D7BDPQ-E0#T2
仓库库存编号:
RJH60D7BDPQ-E0#T2-ND
别名:RJH60D7BDPQE0T2
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 300W TO-247
详细描述:IGBT Trench 600V 90A 300W Through Hole TO-247
型号:
RJH60D7DPQ-E0#T2
仓库库存编号:
RJH60D7DPQ-E0#T2-ND
别名:RJH60D7DPQE0T2
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 328.9W TO-247A
详细描述:IGBT Trench 600V 90A 328.9W Through Hole TO-247A
型号:
RJH60F7BDPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH60F7BDPQ-A0#T0-ND
别名:RJH60F7BDPQA0T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Sanken
IGBT 600V 30A PFC
详细描述:IGBT 600V 30A Through Hole 12-SIP
型号:
SLA5227
仓库库存编号:
SLA5227-ND
别名:SLA5227 DK
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
不受无铅要求限制
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Renesas Electronics America
IGBT 1200V 70A 320W TO-3P
详细描述:IGBT Trench 1200V 70A 320W Through Hole TO-3P
型号:
RJH1CV7DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH1CV7DPK-00#T0-ND
别名:RJH1CV7DPK00T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P
详细描述:IGBT Trench 600V 85A 297.6W Through Hole TO-3P
型号:
RJH60F6DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60F6DPK-00#T0-ND
别名:RJH60F6DPK00T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Sanken
IGBT 600V 30A PFC
详细描述:IGBT 600V 30A Through Hole 12-SIP
型号:
SLA5222
仓库库存编号:
SLA5222-ND
别名:SLA5222 DK
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
不受无铅要求限制
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 328.9W TO247A
详细描述:IGBT Trench 600V 90A 328.9W Through Hole TO-247A
型号:
RJH60F7DPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH60F7DPQ-A0#T0-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT TRENCH 600V 60A TO247A
详细描述:IGBT Trench 600V 60A 208.3W Through Hole TO-247A
型号:
RJH60T04DPQ-A1#T0
仓库库存编号:
RJH60T04DPQ-A1#T0-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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ON Semiconductor
IGBT 400V 150A 8ECH
详细描述:IGBT Surface Mount SOT-28FL/ECH8
型号:
TIG074E8-TL-H
仓库库存编号:
TIG074E8-TL-H-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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ON Semiconductor
IGBT 400V ECH8
详细描述:IGBT 400V Surface Mount 8-ECH
型号:
TIG064E8-TL-H
仓库库存编号:
TIG064E8-TL-H-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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ON Semiconductor
IGBT 600V 10A TO220F3
详细描述:IGBT Through Hole TO-220F-3FS
型号:
NGTB10N60FG
仓库库存编号:
NGTB10N60FG-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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ON Semiconductor
IGBT 600V 24A 54W TO-3PF
详细描述:IGBT Through Hole
型号:
NGTG12N60TF1G
仓库库存编号:
NGTG12N60TF1GOS-ND
别名:NGTG12N60TF1GOS
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 20A 30W TO-220FL
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-220FL
型号:
RJH60A83RDPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJH60A83RDPP-M0#T2-ND
别名:RJH60A83RDPPM0T2
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Sanken
IGBT 600V 50A 150W TO3P
详细描述:IGBT Through Hole TO-3P
型号:
MGD623N
仓库库存编号:
MGD623N-ND
别名:MGD623N DK
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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IGBT 600V 50A 150W TO3P
详细描述:IGBT Through Hole TO-3P
型号:
MGD623S
仓库库存编号:
MGD623S-ND
别名:MGD623S DK
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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IGBT 600V 16A TO-3PF
详细描述:IGBT Surface Mount TO-3PF-3
型号:
FGM622S
仓库库存编号:
FGM622S-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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IGBT 600V 30A 60W TO3PF
详细描述:IGBT Through Hole TO-3PF
型号:
FGM623S
仓库库存编号:
FGM623S-ND
别名:FGM623S DK
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 25A 27.2W TO220FL
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-220FL
型号:
RJH60D2DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJH60D2DPP-M0#T2-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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IGBT 600V 45A 140W TO-3P
详细描述:IGBT Through Hole TO-3P
型号:
RJP60D0DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJP60D0DPK-00#T0-ND
别名:RJP60D0DPK00T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 40A 178.5W TO-220AB
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
RJP6085DPN-00#T2
仓库库存编号:
RJP6085DPN-00#T2-ND
别名:RJP6085DPN00T2
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
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