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产品规格

封装/外壳	TO-3P-3 整包
制造商	Sanken
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-3P
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	300ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	150W
Current - Collector (Ic) (Max)	50A
测试条件	300V，50A，39 欧姆，15V
开关能量	-
Current - Collector Pulsed (Icm)	100A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.3V @ 15V，50A
25°C 时 Td（开/关）值	75ns/300ns
关键词

产品资料

数据列表	General Catalog MGD623N
标准包装	1,000
其它名称	MGD623N DK

封装/外壳 TO-3P-3 整包  Sanken 封装/外壳 TO-3P-3 整包  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3 整包  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3 整包   制造商 Sanken  Sanken 制造商 Sanken  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Sanken  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Sanken   安装类型 通孔  Sanken 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  Sanken 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Sanken 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 散装   Sanken 包装 散装   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 散装   Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 散装    零件状态 在售  Sanken 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-3P  Sanken 供应商器件封装 TO-3P  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P   输入类型 标准  Sanken 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 300ns  Sanken 反向恢复时间（trr） 300ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 300ns  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 300ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Sanken Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 150W  Sanken Power - Max 150W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 150W  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 150W   Current - Collector (Ic) (Max) 50A  Sanken Current - Collector (Ic) (Max) 50A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 50A  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 50A   测试条件 300V，50A，39 欧姆，15V  Sanken 测试条件 300V，50A，39 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，50A，39 欧姆，15V  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，50A，39 欧姆，15V   开关能量 -  Sanken 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 100A  Sanken Current - Collector Pulsed (Icm) 100A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 100A  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 100A   IGBT 类型 -  Sanken IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 15V，50A  Sanken 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 15V，50A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 15V，50A  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 15V，50A   25°C 时 Td（开/关）值 75ns/300ns  Sanken 25°C 时 Td（开/关）值 75ns/300ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 75ns/300ns  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 75ns/300ns