产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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IXYS
IGBT 650V 116A 455W TO247AD
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247 (IXXH)
型号:
IXXH60N65B4
仓库库存编号:
IXXH60N65B4-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 130A 600W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247 (IXYH)
型号:
IXYH50N65C3H1
仓库库存编号:
IXYH50N65C3H1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 650V 150A 375W TO-247AB
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
型号:
FGH75T65UPD
仓库库存编号:
FGH75T65UPD-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 80A 300W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247 (IXYH)
型号:
IXYH40N65C3
仓库库存编号:
IXYH40N65C3-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 170A 750W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247 (IXYH)
型号:
IXYH75N65C3
仓库库存编号:
IXYH75N65C3-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 60A 270W TO268HV
详细描述:IGBT PT Surface Mount TO-268
型号:
IXYT30N65C3H1HV
仓库库存编号:
IXYT30N65C3H1HV-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 120A 455W TO247AD
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD
型号:
IXXH40N65B4H1
仓库库存编号:
IXXH40N65B4H1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Microsemi Corporation
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
详细描述:IGBT NPT Through Hole T-MAX? [B2]
型号:
APT45GR65B2DU30
仓库库存编号:
APT45GR65B2DU30-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 600V 75A TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 100A 595W Through Hole TO-247
型号:
NGTB75N65FL2WG
仓库库存编号:
NGTB75N65FL2WG-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Microsemi Corporation
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
详细描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2]
型号:
APT70GR65B2DU40
仓库库存编号:
APT70GR65B2DU40-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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STMicroelectronics
IGBT BIPO 650V 80A TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247-4L
型号:
STGW80H65FB-4
仓库库存编号:
STGW80H65FB-4-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT BIPO 650V 80A TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247-4L
型号:
STGW80H65DFB-4
仓库库存编号:
STGW80H65DFB-4-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Microsemi Corporation
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
详细描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247
型号:
APT45GR65BSCD10
仓库库存编号:
APT45GR65BSCD10-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Microsemi Corporation
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
详细描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak
型号:
APT45GR65SSCD10
仓库库存编号:
APT45GR65SSCD10-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Microsemi Corporation
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
详细描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2]
型号:
APT70GR65B2SCD30
仓库库存编号:
APT70GR65B2SCD30-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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IXYS
IGBT 650V 188A 1150W PLUS247
详细描述:IGBT PT 650V 225A 830W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXYX100N65B3D1
仓库库存编号:
IXYX100N65B3D1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 40A 170W TO220-3
详细描述:IGBT Trench 650V 42A 125W Through Hole PG-TO-220-3
型号:
IGP20N65F5XKSA1
仓库库存编号:
IGP20N65F5XKSA1-ND
别名:SP001132998
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V TO220-3
详细描述:IGBT Trench 650V 55A 188W Through Hole PG-TO-220-3
型号:
IGP30N65F5XKSA1
仓库库存编号:
IGP30N65F5XKSA1-ND
别名:SP001133080
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V TO220-3
详细描述:IGBT Trench 650V 42A 125W Through Hole PG-TO-220-3
型号:
IKP20N65F5XKSA1
仓库库存编号:
IKP20N65F5XKSA1-ND
别名:SP001133076
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 48A Surface Mount Die
型号:
IRGC4263B
仓库库存编号:
IRGC4263B-ND
别名:SP001545994
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 50A SGL TO-247-4
详细描述:IGBT Trench 650V 85A 273W Through Hole PG-TO247-4
型号:
IGZ50N65H5XKSA1
仓库库存编号:
IGZ50N65H5XKSA1-ND
别名:IGZ50N65H5
SP001160052
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 75A SGL TO-247-4
详细描述:IGBT Trench 650V 119A 395W Through Hole PG-TO247-4
型号:
IGZ75N65H5XKSA1
仓库库存编号:
IGZ75N65H5XKSA1-ND
别名:IGZ75N65H5
SP001160054
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V TO220-3
详细描述:IGBT Trench 650V 55A 188W Through Hole PG-TO-220-3
型号:
IKP30N65F5XKSA1
仓库库存编号:
IKP30N65F5XKSA1-ND
别名:SP001133082
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 30A UFAST DIO TO247-3
详细描述:IGBT 650V 85A 227W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW30N65NL5XKSA1
仓库库存编号:
IKW30N65NL5XKSA1IN-ND
别名:IKW30N65NL5XKSA1IN
SP001174466
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
详细描述:IGBT Trench 650V 80A 274W Through Hole PG-TO247-4
型号:
IKZ50N65ES5XKSA1
仓库库存编号:
IKZ50N65ES5XKSA1-ND
别名:SP001636074
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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