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产品规格

封装/外壳	TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	D3Pak
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	80ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Power - Max	543W
Current - Collector (Ic) (Max)	118A
测试条件	433V，45A，4.3 欧姆，15V
Current - Collector Pulsed (Icm)	224A
IGBT 类型	NPT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.4V @ 15V，45A
25°C 时 Td（开/关）值	15ns/100ns
栅极电荷	203nC
关键词

产品资料

数据列表	APT45GR65xSCD10
标准包装	1

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Microsemi Corporation 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 表面贴装  Microsemi Corporation 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 散装   Microsemi Corporation 包装 散装   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 散装   Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 散装    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 D3Pak  Microsemi Corporation 供应商器件封装 D3Pak  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D3Pak  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D3Pak   输入类型 标准  Microsemi Corporation 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 80ns  Microsemi Corporation 反向恢复时间（trr） 80ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 80ns  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 80ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  Microsemi Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V   Power - Max 543W  Microsemi Corporation Power - Max 543W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 543W  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 543W   Current - Collector (Ic) (Max) 118A  Microsemi Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 118A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 118A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 118A   测试条件 433V，45A，4.3 欧姆，15V  Microsemi Corporation 测试条件 433V，45A，4.3 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 433V，45A，4.3 欧姆，15V  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 433V，45A，4.3 欧姆，15V   Current - Collector Pulsed (Icm) 224A  Microsemi Corporation Current - Collector Pulsed (Icm) 224A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 224A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 224A   IGBT 类型 NPT  Microsemi Corporation IGBT 类型 NPT  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.4V @ 15V，45A  Microsemi Corporation 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.4V @ 15V，45A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.4V @ 15V，45A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.4V @ 15V，45A   25°C 时 Td（开/关）值 15ns/100ns  Microsemi Corporation 25°C 时 Td（开/关）值 15ns/100ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 15ns/100ns  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 15ns/100ns   栅极电荷 203nC  Microsemi Corporation 栅极电荷 203nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 203nC  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 203nC