产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R180P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R180P7SXKSA1-ND
别名:SP001606066
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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EPC
TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Ta) 模具
型号:
EPC2019ENG
仓库库存编号:
917-1055-1-ND
别名:917-1055-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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EPC
TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 模具
型号:
EPC2021ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2021ENGRCT-ND
别名:917-EPC2021ENGRCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta) 模具
型号:
EPC2030ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2030ENGR-ND
别名:917-EPC2030ENGR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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EPC
TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta) 模具剖面(7 焊条)
型号:
EPC2010CENGR
仓库库存编号:
917-EPC2010CENGRCT-ND
别名:917-EPC2010CENGRCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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EPC
TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 4A(Ta) 模具剖面(12 焊条)
型号:
EPC2025ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2025ENGR-ND
别名:917-EPC2025ENGR
EPC2025ENGRC
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 35A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 35A(Tc) TO-220AB
型号:
IXKP35N60C5
仓库库存编号:
IXKP35N60C5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Ta) 模具
型号:
EPC2024ENG
仓库库存编号:
917-EPC2024ENG-ND
别名:917-EPC2024ENG
EPC2024ENGRC3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.8A(Ta) 模具
型号:
EPC8007ENGR
仓库库存编号:
917-EPC8007ENGR-ND
别名:917-EPC8007ENGR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 2.7A(Ta) 模具
型号:
EPC8008ENGR
仓库库存编号:
917-EPC8008ENGR-ND
别名:917-EPC8008ENGR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 38A(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXKR40N60C
仓库库存编号:
IXKR40N60C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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EPC
TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 65V 2.9A(Ta) 模具
型号:
EPC8005ENGR
仓库库存编号:
917-EPC8005ENGR-ND
别名:917-EPC8005ENGR
EPC8005ENGH
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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EPC
TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 65V 2A(Ta) 模具
型号:
EPC8002ENGR
仓库库存编号:
917-EPC8002ENGR-ND
别名:917-EPC8002ENGR
EPC8002ENGI
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2.7A(Ta) 模具
型号:
EPC8010ENGR
仓库库存编号:
917-EPC8010ENGR-ND
别名:917-EPC8010ENGR
EPC8010ENGJ
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 600V 41A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXKF40N60SCD1
仓库库存编号:
IXKF40N60SCD1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 41A(Tc) 400W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE48N50Q
仓库库存编号:
IXFE48N50Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 39A(Tc) 400W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE44N50Q
仓库库存编号:
IXFE44N50Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 43A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 43A(Tc) 400W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR50N50
仓库库存编号:
IXFR50N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A ISO264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 48A(Tc) 400W(Tc) ISO264?
型号:
IXFG55N50
仓库库存编号:
IXFG55N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 48A(Tc) 400W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR55N50
仓库库存编号:
IXFR55N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 58A(Tc) 543W(Tc) SOT-227
型号:
APT58M50JU3
仓库库存编号:
APT58M50JU3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 47A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE50N50
仓库库存编号:
IXFE50N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 40A(Tc) 290W(Tc) SOT-227B
型号:
IXKN40N60C
仓库库存编号:
IXKN40N60C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 47A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE55N50
仓库库存编号:
IXFE55N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 23A(Tc) 390W(Tc) SP1
型号:
APTM100DA33T1G
仓库库存编号:
APTM100DA33T1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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