产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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EPC
TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 模具
型号:
EPC2020ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2020ENGRCT-ND
别名:917-EPC2020ENGRCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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EPC
TRANS GAN 200V BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Ta) 模具
型号:
EPC2047ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2047ENGRCT-ND
别名:917-EPC2047ENGRCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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EPC
TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 模具
型号:
EPC2023ENG
仓库库存编号:
917-EPC2023ENG-ND
别名:917-EPC2023ENG
EPC2023ENGRC2
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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EPC
TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 模具
型号:
EPC2021ENG
仓库库存编号:
917-EPC2021ENG-ND
别名:917-EPC2021ENG
EPC2021ENGRB3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-247-3
详细描述:通孔 N 沟道 63.3A(Tc) 500W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R048CFDAFKSA1
仓库库存编号:
IPW65R048CFDAFKSA1-ND
别名:SP000895318
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Tc) 5W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN60R2K1CEATMA1
仓库库存编号:
IPN60R2K1CEATMA1CT-ND
别名:IPN60R2K1CEATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R2K1CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R2K1CEAUMA1CT-ND
别名:IPD60R2K1CEAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 700V 5.4A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Tc) 5W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN70R1K5CEATMA1
仓库库存编号:
IPN70R1K5CEATMA1CT-ND
别名:IPN70R1K5CEATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL202SNL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSL202SNL6327HTSA1CT-ND
别名:BSL202SN L6327CT
BSL202SN L6327CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Tc) 53W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R1K4CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R1K4CEAUMA1CT-ND
别名:IPD70R1K4CEAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 49W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEAUMA1TR-ND
别名:IPD60R1K5CEAUMA1-ND
IPD60R1K5CEAUMA1TR
SP001396902
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 49W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEAUMA1CT-ND
别名:IPD60R1K5CEAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 49W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEAUMA1DKR-ND
别名:IPD60R1K5CEAUMA1DKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Tc) 37W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R1K0CEATMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K0CEATMA1CT-ND
别名:IPD60R1K0CEATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.4A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R950CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R950CEAUMA1CT-ND
别名:IPD70R950CEAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 23W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R1K4P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R1K4P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD70R1K4P7SAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 12.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 30.5W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R900P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R900P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD70R900P7SAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 20.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Tc) 43W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R600P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R600P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD70R600P7SAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),72A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6626
仓库库存编号:
IRF6626CT-ND
别名:IRF6626CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6619
仓库库存编号:
IRF6619CT-ND
别名:IRF6619CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.3A(Tc) 89.3W(Tc) 8-ThinPak(5x6)
型号:
IPL60R360P6SATMA1
仓库库存编号:
IPL60R360P6SATMA1CT-ND
别名:IPL60R360P6SATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6619TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6619TR1PBFCT-ND
别名:IRF6619TR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),163A(Tc) 2.8W(Ta),57W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB013NE2LXI
仓库库存编号:
BSB013NE2LXICT-ND
别名:BSB013NE2LXICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),106A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF024N03LT3GXUMA1
仓库库存编号:
BSF024N03LT3GXUMA1CT-ND
别名:BSF024N03LT3 GCT
BSF024N03LT3 GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6678
仓库库存编号:
IRF6678CT-ND
别名:IRF6678CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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