EPC2021ENG,EPC,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

EPC2021ENG - 

TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE

  • 当零件存货耗尽后,该零件将成为非库存货;此时将采用最低订购量方法。 订购数量应为可供数量或者可供数量加上最低订购数量的倍数。
  • 非库存货
  • 该零件为工程样品,未经过完全测试。 该零件仅限于功能评估和概念验证,不得用于生产或终端应用。
EPC EPC2021ENG
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
EPC EPC
制造商产品编号:
EPC2021ENG
仓库库存编号:
917-EPC2021ENG-ND
描述:
TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 模具
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

EPC2021ENG产品属性


产品规格
  封装/外壳  模具  
  制造商  EPC  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  eGaN?  
  包装  托盘   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  模具  
  技术  GaNFET(氮化镓)  
  Vgs(最大值)  +6V,-4V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  15nC @ 5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  2.5 毫欧 @ 29A,5V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  5V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  60A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1700pF @ 40V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.5V @ 14mA  
  功率耗散(最大值)  -  
  漏源电压(Vdss)  80V  
关键词         

产品资料
数据列表 EPC2021 Datasheet
应用说明 Fourth Generation eGaN? FETs
Assembling eGaN? FETs
Die Attach Procedure
Die Removal Procedure
Using eGaN? FETs
标准包装 10
其它名称 917-EPC2021ENG
EPC2021ENGRB3

EPC2021ENG配套

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

EPC2021ENG配用

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

EPC2021ENG您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

EPC2021ENG相关搜索

封装/外壳 模具  EPC 封装/外壳 模具  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 模具  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 模具   制造商 EPC  EPC 制造商 EPC  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 EPC  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 EPC   安装类型 表面贴装  EPC 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)  EPC 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)   系列 eGaN?  EPC 系列 eGaN?  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 eGaN?  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 eGaN?   包装 托盘   EPC 包装 托盘   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 托盘   EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 托盘    零件状态 在售  EPC 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 模具  EPC 供应商器件封装 模具  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 模具  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 模具   技术 GaNFET(氮化镓)  EPC 技术 GaNFET(氮化镓)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 GaNFET(氮化镓)  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 GaNFET(氮化镓)   Vgs(最大值) +6V,-4V  EPC Vgs(最大值) +6V,-4V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) +6V,-4V  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) +6V,-4V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 5V  EPC 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 5V  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 5V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.5 毫欧 @ 29A,5V  EPC 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.5 毫欧 @ 29A,5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.5 毫欧 @ 29A,5V  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.5 毫欧 @ 29A,5V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V  EPC 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V   FET 类型 N 沟道  EPC FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Ta)  EPC 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Ta)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Ta)  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Ta)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 40V  EPC 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 40V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 40V  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 40V   FET 功能 -  EPC FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 14mA  EPC 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 14mA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 14mA  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 14mA   功率耗散(最大值) -  EPC 功率耗散(最大值) -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) -  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) -   漏源电压(Vdss) 80V  EPC 漏源电压(Vdss) 80V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 80V  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 80V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号