产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.3A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3427AEEV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3427AEEV-T1_GE3CT-ND
别名:SQ3427AEEV-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 1.6W(Ta),34W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH11006NL,LQ
仓库库存编号:
TPH11006NLLQCT-ND
别名:TPH11006NLLQCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 500mW(Ta) MPT3
型号:
RHP020N06T100
仓库库存编号:
RHP020N06T100CT-ND
别名:RHP020N06T100CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMN6A08GTA
仓库库存编号:
ZXMN6A08GCT-ND
别名:ZXMN6A08GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP295H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP295H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP295H6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),50A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC100N06LS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC100N06LS3GATMA1CT-ND
别名:BSC100N06LS3 GCT
BSC100N06LS3 GCT-ND
BSC100N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Ta) 1.2W(Ta) 8-SO
型号:
DMP6023LSS-13
仓库库存编号:
DMP6023LSS-13DICT-ND
别名:DMP6023LSS-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 62W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQ7414AEN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ7414AEN-T1_GE3CT-ND
别名:SQ7414AEN-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 4.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.4A(Ta) 2.11W(Ta) TO-252-3
型号:
ZXMP6A17KTC
仓库库存编号:
ZXMP6A17KTCDICT-ND
别名:ZXMP6A17KTCDICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Tc) 2.5W(Ta),36W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC097N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSC097N06NSATMA1CT-ND
别名:BSC097N06NSATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 模具
型号:
EPC2035
仓库库存编号:
917-1099-1-ND
别名:917-1099-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V LFPAK33
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 91W(Tc) LFPAK33
型号:
PSMN011-60MLX
仓库库存编号:
1727-1505-1-ND
别名:1727-1505-1
568-10985-1
568-10985-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.4A(Tc) 1.7W(Ta),20.8W(Tc) TO-252
型号:
SUD08P06-155L-GE3
仓库库存编号:
SUD08P06-155L-GE3CT-ND
别名:SUD08P06-155L-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9014PBFCT-ND
别名:*IRFR9014TRPBF
IRFR9014PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta) 1.36W(Ta),62.5W(Tj) DPAK
型号:
NTD24N06LT4G
仓库库存编号:
NTD24N06LT4GOSCT-ND
别名:NTD24N06LT4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC110N06NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC110N06NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC110N06NS3 GCT
BSC110N06NS3 GCT-ND
BSC110N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3458BDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3458BDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3458BDV-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),20A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ100N06LS3 G
仓库库存编号:
BSZ100N06LS3GINCT-ND
别名:BSZ100N06LS3GINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD17P06TM
仓库库存编号:
FQD17P06TMCT-ND
别名:FQD17P06TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 280mA(Tj) 360mW(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
TN2106K1-G
仓库库存编号:
TN2106K1-GCT-ND
别名:TN2106K1-GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 15.5A(Ta) 65W(Tc) DPAK
型号:
NTD20P06LT4G
仓库库存编号:
NTD20P06LT4GOSCT-ND
别名:NTD20P06LT4GOS
NTD20P06LT4GOS-ND
NTD20P06LT4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 300mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN2106N3-G
仓库库存编号:
VN2106N3-G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
2N7000-G
仓库库存编号:
2N7000-G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.4A(Ta) 2.11W(Ta) TO-252-3
型号:
ZXMP6A16KTC
仓库库存编号:
ZXMP6A16KCT-ND
别名:ZXMP6A16KCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V LFPAK56
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 167W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN5R6-60YLX
仓库库存编号:
1727-2596-1-ND
别名:1727-2596-1
568-13047-1
568-13047-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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