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VN2106N3-G - 

MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3

Microchip Technology VN2106N3-G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
VN2106N3-G
仓库库存编号:
VN2106N3-G-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 300mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

VN2106N3-G产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)  
  制造商  Microchip Technology  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-92-3  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  -  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  4 欧姆 @ 500mA,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  5V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  300mA(Tj)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  50pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.4V @ 1mA  
  功率耗散(最大值)  1W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  60V  
关键词         

产品资料
数据列表 VN2106
设计资源 VN2106 Development Tool Selector
PCN 封装 Label and Packing Changes 23/Sep/2015
标准包装 1,000

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