产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 13.5A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ086P03NS3E G
仓库库存编号:
BSZ086P03NS3E GCT-ND
别名:BSZ086P03NS3E GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 13.5A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ086P03NS3 G
仓库库存编号:
BSZ086P03NS3 GCT-ND
别名:BSZ086P03NS3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4435DYTRPBF
仓库库存编号:
SI4435DYPBFCT-ND
别名:*SI4435DYTRPBF
SI4435DYPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6294
仓库库存编号:
FDS6294CT-ND
别名:FDS6294CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 15A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),60A(Tc) 2.6W(Ta) 8-SON(3.3x3.3)
型号:
CSD17552Q3A
仓库库存编号:
296-34990-1-ND
别名:296-34990-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 3.5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7716ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7716ADN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7716ADN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Tc) 2.5W(Ta),5.6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4835DDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4835DDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4835DDY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8817NZ
仓库库存编号:
FDS8817NZCT-ND
别名:FDS8817NZCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 14.9A(Tc) 6.9W(Tc) 8-SO
型号:
PMK35EP,518
仓库库存编号:
1727-7204-1-ND
别名:1727-7204-1
568-9695-1
568-9695-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),10A(Tc) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA8878
仓库库存编号:
FDMA8878CT-ND
别名:FDMA8878CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 87A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),87A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17302Q5A
仓库库存编号:
296-25854-1-ND
别名:296-25854-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 30A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),136A(Tc) 3.1W(Ta), 64W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C03NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C03NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4C03NT1GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 3.2W(Ta),29W(Tc) 8-VSONP(3x3.15)
型号:
CSD17579Q3AT
仓库库存编号:
296-38463-1-ND
别名:296-38463-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0902NSI
仓库库存编号:
BSC0902NSICT-ND
别名:BSC0902NSICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 166W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R4-30YLDX
仓库库存编号:
1727-1861-1-ND
别名:1727-1861-1
568-11557-1
568-11557-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1.47W(Ta) 8-SO
型号:
SI4386DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4386DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4386DY-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET2X2
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA7632
仓库库存编号:
FDMA7632CT-ND
别名:FDMA7632CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5W(Ta),40W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA10DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA10DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA10DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17527Q5A
仓库库存编号:
296-29021-1-ND
别名:296-29021-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),42A(Tc) 2.5W(Ta),46W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS7672AS
仓库库存编号:
FDMS7672ASCT-ND
别名:FDMS7672ASCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),100A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17510Q5A
仓库库存编号:
296-27792-1-ND
别名:296-27792-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 30V 65A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Tc) 50W(Tc) DPAK
型号:
STD65N3LLH5
仓库库存编号:
497-13425-1-ND
别名:497-13425-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 41W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN022-30BL,118
仓库库存编号:
1727-7117-1-ND
别名:1727-7117-1
568-9487-1
568-9487-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 3.2W(Ta),37W(Tc) 8-VSONP(3x3.15)
型号:
CSD17578Q3AT
仓库库存编号:
296-38462-1-ND
别名:296-38462-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC025N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC025N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC025N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC025N03LSGINCT
BSC025N03LSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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