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BSZ086P03NS3 G - 

MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Infineon Technologies BSZ086P03NS3 G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BSZ086P03NS3 G
仓库库存编号:
BSZ086P03NS3 GCT-ND
描述:
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 13.5A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

BSZ086P03NS3 G产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerVDFN  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  OptiMOS??  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-TSDSON-8  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±25V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  57.5nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  8.6 毫欧 @ 20A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  6V,10V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  13.5A(Ta),40A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  4785pF @ 15V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  3.1V @ 105μA  
  功率耗散(最大值)  2.1W(Ta),69W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 BSZ086P03NS3 G
标准包装 1
其它名称 BSZ086P03NS3 GCT

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