产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU07N60C3
仓库库存编号:
SPU07N60C3IN-ND
别名:SP000101635
SPU07N60C3-ND
SPU07N60C3BKMA1
SPU07N60C3IN
SPU07N60C3X
SPU07N60C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD10N20LZTM
仓库库存编号:
FDD10N20LZTMCT-ND
别名:FDD10N20LZTMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 83W(Tc) DPAK
型号:
NTD6415ANLT4G
仓库库存编号:
NTD6415ANLT4GOSCT-ND
别名:NTD6415ANLT4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 95A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 95A(Tc) 83W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF40B207
仓库库存编号:
IRF40B207-ND
别名:SP001564728
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD3N80
仓库库存编号:
785-1620-1-ND
别名:785-1620-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 400V 6.6A
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.6A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD9T40P
仓库库存编号:
785-1707-1-ND
别名:785-1707-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAK SO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 40A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ443EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ443EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ443EP-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 159A ISOMETRICMF
详细描述:表面贴装 N 沟道 159A(Tc) 83W(Tc) DirectFET? 等容 MF
型号:
IRF40DM229
仓库库存编号:
IRF40DM229CT-ND
别名:IRF40DM229CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Tc) 83W(Tc)
型号:
IRFR420ATRPBF
仓库库存编号:
IRFR420ATRPBFCT-ND
别名:IRFR420ATRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 78A(Tc) 83W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86182
仓库库存编号:
FDMS86182CT-ND
别名:FDMS86182CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 83W(Tc) D-Pak
型号:
FCD7N60TM_WS
仓库库存编号:
FCD7N60TM_WSCT-ND
别名:FCD7N60TM_WSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 30A
详细描述:表面贴装 P 沟道 30A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ463EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ463EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ463EP-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 900V 22A
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Tc) 83W(Tc) D2PAK-7
型号:
C3M0120090J-TR
仓库库存编号:
C3M0120090J-TRCT-ND
别名:C3M0120090J-TRCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 85A 6-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Tc) 83W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7545TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7545TRPBFCT-ND
别名:IRFH7545TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90R1K2C3BTMA1
仓库库存编号:
IPD90R1K2C3BTMA1CT-ND
别名:IPD90R1K2C3BTMA1CT
IPD90R1K2C3CT
IPD90R1K2C3CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90R1K2C3ATMA1
仓库库存编号:
IPD90R1K2C3ATMA1CT-ND
别名:IPD90R1K2C3ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 58A
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 83W(Tc) D-Pak
型号:
IRF60R217
仓库库存编号:
IRF60R217CT-ND
别名:IRF60R217CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD08N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD08N50C3ATMA1CT-ND
别名:SPD08N50C3ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R380C6ATMA1CT-ND
别名:IPD65R380C6ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380C6BTMA1
仓库库存编号:
IPD65R380C6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R380C6BTMA1CT
IPD65R380C6CT
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产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB60R380P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R380P6ATMA1CT-ND
别名:IPB60R380P6ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 32A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 32A(Tc) 83W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP32P05T
仓库库存编号:
IXTP32P05T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 18A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 18A(Tc) 83W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP18P10T
仓库库存编号:
IXTP18P10T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Tc) 83W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH02N250
仓库库存编号:
IXTH02N250-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
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IXYS
MOSFET P-CH 85V 24A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 24A(Tc) 83W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP24P085T
仓库库存编号:
IXTP24P085T-ND
别名:620619
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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