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IPD65R380C6BTMA1 - 

MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3

  • 不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Infineon Technologies IPD65R380C6BTMA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IPD65R380C6BTMA1
仓库库存编号:
IPD65R380C6BTMA1CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

IPD65R380C6BTMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  CoolMOS??  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  PG-TO252-3  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  39nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  380 毫欧 @ 3.2A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  10.6A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  710pF @ 100V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  3.5V @ 320μA  
  功率耗散(最大值)  83W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  650V  
关键词         

产品资料
数据列表 IPx65R380C6
标准包装 1
其它名称 IPD65R380C6BTMA1CT
IPD65R380C6CT
IPD65R380C6CT-ND

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