产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Microchip Technology (1)
Diodes Incorporated (13)
EPC (83)
GeneSiC Semiconductor (1)
Infineon Technologies (68)
IXYS (165)
Micro Commercial Co (3)
Nexperia USA Inc. (18)
NXP USA Inc. (28)
Fairchild/Micross Components (2)
Fairchild/ON Semiconductor (17)
ON Semiconductor (124)
Panasonic Electronic Components (3)
Renesas Electronics America (2)
Rohm Semiconductor (12)
STMicroelectronics (14)
Taiwan Semiconductor Corporation (2)
Toshiba Semiconductor and Storage (26)
Vishay Siliconix (73)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 800V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 800V ISOPLUS247?
型号:
IXFR9N80Q
仓库库存编号:
IXFR9N80Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V ISOPLUS247?
型号:
IXFR12N120P
仓库库存编号:
IXFR12N120P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 175A(Tc) PLUS220
型号:
IXUV170N075
仓库库存编号:
IXUV170N075-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220-S
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 175A(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXUV170N075S
仓库库存编号:
IXUV170N075S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 300V ISOPLUS247?
型号:
IXFR52N30Q
仓库库存编号:
IXFR52N30Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 12A(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH12N100Q
仓库库存编号:
IXTH12N100Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 90A(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR90N20
仓库库存编号:
IXFR90N20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 500V 21A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FDM21-05QC
仓库库存编号:
FDM21-05QC-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 25A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXKC25N80C
仓库库存编号:
IXKC25N80C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 2.7A(Ta) 模具
型号:
EPC8008ENGR
仓库库存编号:
917-EPC8008ENGR-ND
别名:917-EPC8008ENGR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) TO-247AD(IXKH)
型号:
IXKH47N60C
仓库库存编号:
IXKH47N60C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 5A DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 5A(Tc) 模具
型号:
IXTD5N100A
仓库库存编号:
IXTD5N100A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 38A(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXKR40N60C
仓库库存编号:
IXKR40N60C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 65V 2.9A(Ta) 模具
型号:
EPC8005ENGR
仓库库存编号:
917-EPC8005ENGR-ND
别名:917-EPC8005ENGR
EPC8005ENGH
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 65V 2A(Ta) 模具
型号:
EPC8002ENGR
仓库库存编号:
917-EPC8002ENGR-ND
别名:917-EPC8002ENGR
EPC8002ENGI
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2.7A(Ta) 模具
型号:
EPC8010ENGR
仓库库存编号:
917-EPC8010ENGR-ND
别名:917-EPC8010ENGR
EPC8010ENGJ
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2.5A(Ta) 模具
型号:
EPC8003ENGR
仓库库存编号:
917-EPC8003ENGR-ND
别名:917-EPC8003ENGR
EPC8003ENGK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 600V 41A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXKF40N60SCD1
仓库库存编号:
IXKF40N60SCD1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 600V 38A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMD40-06KC
仓库库存编号:
FMD40-06KC-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 140A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 300V 140A(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK140N30P
仓库库存编号:
IXTK140N30P-ND
别名:Q4597844
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 600V 68A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 600V 68A(Tc) TO-268
型号:
IXKT70N60C5
仓库库存编号:
IXKT70N60C5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 200V 120A(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX120P20T
仓库库存编号:
IXTX120P20T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 200V 120A TO-264
详细描述:通孔 P 沟道 200V 120A(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK120P20T
仓库库存编号:
IXTK120P20T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V 25A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 25A(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR25N90
仓库库存编号:
IXFR25N90-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V ISOPLUS247?
型号:
IXFR75N10Q
仓库库存编号:
IXFR75N10Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号