产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU014
仓库库存编号:
IRFU014-ND
别名:*IRFU014
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ14S
仓库库存编号:
IRFZ14S-ND
别名:*IRFZ14S
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 200V 1.8A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9610L
仓库库存编号:
IRF9610L-ND
别名:*IRF9610L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 1.8A(Tc) 3W(Ta),20W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9610STRL
仓库库存编号:
IRF9610STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 1.8A(Tc) 3W(Ta),20W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9610STRR
仓库库存编号:
IRF9610STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR014TRL
仓库库存编号:
IRFR014TRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR014TRR
仓库库存编号:
IRFR014TRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 10A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ10
仓库库存编号:
IRFZ10-ND
别名:*IRFZ10
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 10A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) TO-262-3
型号:
IRFZ14L
仓库库存编号:
IRFZ14L-ND
别名:*IRFZ14L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ14STRL
仓库库存编号:
IRFZ14STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ14STRR
仓库库存编号:
IRFZ14STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.8A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8012-H(TE12L,Q)
仓库库存编号:
TPC8012-HQDKR-ND
别名:TPC8012-HDKR
TPC8012-HDKR-ND
TPC8012-HQDKR
TPC8012HTE12LQ
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 6.7A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 6.7A(Ta) 42W(Ta) TO-252
型号:
FDD2512
仓库库存编号:
FDD2512-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 4.9A(Ta) 42W(Ta) TO-252
型号:
FDD2612
仓库库存编号:
FDD2612-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N60TM
仓库库存编号:
FQD2N60TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N60TF
仓库库存编号:
FQD2N60TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 64W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP2N60
仓库库存编号:
FQP2N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.6A(Tc) 28W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF2N60
仓库库存编号:
FQPF2N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) I-Pak
型号:
FQU2N60TU
仓库库存编号:
FQU2N60TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 3.13W(Ta),64W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB2N60TM
仓库库存编号:
FQB2N60TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.6A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.6A(Tc) 1.5W(Ta),2.8W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1472DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1472DH-T1-E3CT-ND
别名:SI1472DH-T1-E3CT
SI1472DHT1E3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
FDFS2P753AZ
仓库库存编号:
FDFS2P753AZCT-ND
别名:FDFS2P753AZCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.1A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC2612_F095
仓库库存编号:
FDC2612_F095-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.5A(Tc) 1.9W(Ta),6.5W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 双
型号:
SIA814DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA814DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA814DJ-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8021-H(TE12LQ,M
仓库库存编号:
TPC8021-H(TE12LQ,M-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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