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IRFZ10
IRFZ10 -
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
IRFZ10
仓库库存编号:
IRFZ10-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 60V 10A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRFZ10产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-220AB
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
11nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
200 毫欧 @ 6A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
10A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
300pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
43W(Tc)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
IRFZ10
Packaging Information
标准包装
1,000
其它名称
*IRFZ10
IRFZ10ROHS替代
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ10PBF
仓库库存编号:
IRFZ10PBF-ND
别名:*IRFZ10PBF
无铅
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制造商 Vishay Siliconix
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安装类型 通孔
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功率耗散(最大值) 43W(Tc)
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