产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 38A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 38A(Tc) 278W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI65R099C6XKSA1
仓库库存编号:
IPI65R099C6XKSA1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 38A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 38A(Tc) 35W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R099C6XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R099C6XKSA1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 38A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 38A(Tc) 278W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R099C6FKSA1
仓库库存编号:
IPW65R099C6FKSA1-ND
别名:SP000896396
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K4CFDBTMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K4CFDBTMA1CT-ND
别名:IPD65R1K4CFDBTMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 7.2A(Tc) 68W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R1K0CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R1K0CEXKSA1-ND
别名:SP001429758
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA11N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA11N65C3XKSA1-ND
别名:SP000216318
SPA11N65C3
SPA11N65C3IN
SPA11N65C3IN-ND
SPA11N65C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 72W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R180P7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R180P7XKSA1-ND
别名:SP001606058
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA15N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA15N60C3XKSA1-ND
别名:SP000216325
SPA15N60C3
SPA15N60C3IN
SPA15N60C3IN-ND
SPA15N60C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 35W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R125CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R125CPXKSA1-ND
别名:IPA60R125CP
IPA60R125CP-ND
SP000095275
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 25A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 208W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R125CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R125CPXKSA1-ND
别名:IPP60R125CP
IPP60R125CP-ND
IPP60R125CPX
IPP60R125CPXK
SP000088488
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 31.2A(Tc) 277.8W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R110CFDAAKSA1
仓库库存编号:
IPP65R110CFDAAKSA1-ND
别名:SP000895234
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 255W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R037P7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R037P7XKSA1-ND
别名:SP001606060
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 255W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ60R037P7XKSA1
仓库库存编号:
IPZ60R037P7XKSA1-ND
别名:SP001606064
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-247-3
详细描述:通孔 N 沟道 63.3A(Tc) 500W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R048CFDAFKSA1
仓库库存编号:
IPW65R048CFDAFKSA1-ND
别名:SP000895318
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD03N60C3
仓库库存编号:
SPD03N60C3INCT-ND
别名:SPD03N60C3INCT
SPD03N60C3XTINCT
SPD03N60C3XTINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 49W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEAUMA1TR-ND
别名:IPD60R1K5CEAUMA1-ND
IPD60R1K5CEAUMA1TR
SP001396902
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 49W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEAUMA1CT-ND
别名:IPD60R1K5CEAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 49W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEAUMA1DKR-ND
别名:IPD60R1K5CEAUMA1DKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R380C6ATMA1CT-ND
别名:IPD65R380C6ATMA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380C6BTMA1
仓库库存编号:
IPD65R380C6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R380C6BTMA1CT
IPD65R380C6CT
IPD65R380C6CT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R420CFD
仓库库存编号:
IPB65R420CFDCT-ND
别名:IPB65R420CFDCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.1A(Tc) 208W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R250E6XTMA1
仓库库存编号:
IPD65R250E6XTMA1CT-ND
别名:IPD65R250E6XTMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R225C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R225C7ATMA1CT-ND
别名:IPB65R225C7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 81W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R185P7AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R185P7AUMA1CT-ND
别名:IPL60R185P7AUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R190CFD
仓库库存编号:
IPB65R190CFDCT-ND
别名:IPB65R190CFDCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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