产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Vishay Semiconductor Diodes Division (4)
Vishay Siliconix (341)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 8.2A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.2A(Ta),50A(Tc) 3W(Ta),136.4W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N10-18P-E3
仓库库存编号:
SUD50N10-18P-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.9A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.9A(Ta),20A(Tc) 2.5W(Ta),56W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N10-34P-T4-E3
仓库库存编号:
SUD50N10-34P-T4-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 38A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 38A(Tc) 8.3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P10-43-E3
仓库库存编号:
SUD50P10-43-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 90A(Tc) 13.6W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM90P10-19-E3
仓库库存编号:
SUM90P10-19-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 38.5A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 38.5A(Tc) 3.1W(Ta),89W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP40N10-30-GE3
仓库库存编号:
SUP40N10-30-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 100V 36A(Tc) 2W(Ta),125W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP40P10-43-GE3
仓库库存编号:
SUP40P10-43-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 60A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP60N10-16L-E3
仓库库存编号:
SUP60N10-16L-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 60A(Tc) 3.75W(Ta),150W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP60N10-18P-E3
仓库库存编号:
SUP60N10-18P-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 85A(Tc) 3.75W(Ta),250W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP85N10-10-E3
仓库库存编号:
SUP85N10-10-E3TR-ND
别名:SUP85N10-10-E3TR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 85A(Tc) 3.75W(Ta),227W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP85N10-10P-GE3
仓库库存编号:
SUP85N10-10P-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 85A(Tc) 3.75W(Ta),250W(Tc) TO-220AB
型号:
SUV85N10-10-E3
仓库库存编号:
SUV85N10-10-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 40A(Tc) 3.75W(Ta),107W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP40N10-30-E3
仓库库存编号:
SUP40N10-30-E3-ND
别名:SUP40N10-30-E3CT
SUP40N10-30-E3CT-ND
SUP40N1030E3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 3.1A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23
型号:
SI2392DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2392DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2392DS-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 1A(Ta) 4-HVMDIP
型号:
IRFD9123
仓库库存编号:
IRFD9123-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V .79A TO-205
详细描述:通孔 P 沟道 100V 790mA(Ta) 6.25W(Ta) TO-39
型号:
VP1008B
仓库库存编号:
VP1008B-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 6.5A(Tc) 1.25W(Ta),16.7W(Tc) TO-252AA
型号:
SUD06N10-225L-GE3
仓库库存编号:
SUD06N10-225L-GE3CT-ND
别名:SUD06N10-225L-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 180A(Tc) 480W(Tc) SOT-227
型号:
VS-FB180SA10P
仓库库存编号:
VS-FB180SA10P-ND
别名:VSFB180SA10P
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 16.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 16.7A(Tc) 3.75W(Ta), 88.2W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM25P10-138-E3
仓库库存编号:
SUM25P10-138-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 36A(Tc) 18.8W(Ta), 125W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM50P10-42-E3
仓库库存编号:
SUM50P10-42-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 16.3A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 16.3A(Tc) 3.1W(Ta), 73.5W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP25P10-138-GE3
仓库库存编号:
SUP25P10-138-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号