产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 14000pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 1560W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB40N110Q3
仓库库存编号:
IXFB40N110Q3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 14000pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB120N04S401ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N04S401ATMA1CT-ND
别名:IPB120N04S401ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 14000pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S401ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N04S401ATMA1CT-ND
别名:IPB180N04S401ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 14000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 40A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX40N90P
仓库库存编号:
IXFX40N90P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 14000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 21A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR40N90P
仓库库存编号:
IXFR40N90P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 14000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 900V 40A(Tc) 960W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK40N90P
仓库库存编号:
IXFK40N90P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 14000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 33A(Tc) 695W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN40N90P
仓库库存编号:
IXFN40N90P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 14000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 15A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 15A(Tc) 320W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR26N120P
仓库库存编号:
IXFR26N120P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 14000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 23A(Tc) 695W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN26N120P
仓库库存编号:
IXFN26N120P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 14000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1100V 35A(Tc) 960W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN40N110Q3
仓库库存编号:
IXFN40N110Q3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 14000pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N04S401AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N04S401AKSA1-ND
别名:IPP120N04S4-01
IPP120N04S4-01-ND
SP000705704
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 14000pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI120N04S401AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N04S401AKSA1-ND
别名:IPI120N04S4-01
IPI120N04S4-01-ND
SP000705722
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 14000pF @ 25V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 72A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 72A(Tc) 416W(Tc) SP1
型号:
APTC60DAM35T1G
仓库库存编号:
APTC60DAM35T1G-ND
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 72A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 72A(Tc) 416W(Tc) SP1
型号:
APTC60SKM35T1G
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APTC60SKM35T1G-ND
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 99A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 99A(Tc) 781W(Tc) SP4
型号:
APTM50DAM35TG
仓库库存编号:
APTM50DAM35TG-ND
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 99A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 99A(Tc) 781W(Tc) SP4
型号:
APTM50SKM35TG
仓库库存编号:
APTM50SKM35TG-ND
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 400V 86A(Tc) 690W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT40M42JN
仓库库存编号:
APT40M42JN-ND
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 40A(Tc) 690W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT8018JN
仓库库存编号:
APT8018JN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 14000pF @ 25V,
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