产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N12N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N12N3X1SA1-ND
别名:SP000717450
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N20N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N20N3X1SA1-ND
别名:SP000619656
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N25N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N25N3X1SA1-ND
别名:SP000870638
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N20NFDX1SA1
仓库库存编号:
IPC302N20NFDX1SA1-ND
别名:SP001363494
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N25N3AX1SA1
仓库库存编号:
IPC302N25N3AX1SA1-ND
别名:SP000691616
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807
仓库库存编号:
IRF7807-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7807D1
仓库库存编号:
IRF7807D1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807D2
仓库库存编号:
IRF7807D2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807TR
仓库库存编号:
IRF7807TR-ND
别名:SP001556108
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807D1TR
仓库库存编号:
IRF7807D1TR-ND
别名:SP001577472
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7807D2TR
仓库库存编号:
IRF7807D2TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A SUPER D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 21A(Ta) SUPER D2-PAK
型号:
IRFBL3315
仓库库存编号:
IRFBL3315-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 89A(Ta) 89W(Ta) D-Pak
型号:
IRLR8103
仓库库存编号:
IRLR8103-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 89A(Ta) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8103TR
仓库库存编号:
IRLR8103TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807A
仓库库存编号:
IRF7807A-ND
别名:*IRF7807A
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7805A
仓库库存编号:
IRF7805A-ND
别名:*IRF7805A
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD2
仓库库存编号:
IRF7807VD2-ND
别名:*IRF7807VD2
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V D2PAK
型号:
IRF3314STRR
仓库库存编号:
IRF3314STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8-SO
型号:
IRF7423TR
仓库库存编号:
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产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 8-SO
型号:
IRF7426TR
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产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7805ATR
仓库库存编号:
IRF7805ATR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807ATR
仓库库存编号:
IRF7807ATR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD1
仓库库存编号:
IRF7807VD1-ND
别名:*IRF7807VD1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD1TR
仓库库存编号:
IRF7807VD1TR-ND
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MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD2TR
仓库库存编号:
IRF7807VD2TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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