产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Tc) 48W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF520NPBF
仓库库存编号:
IRF520NPBF-ND
别名:*IRF520NPBF
SP001571310
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP180N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP180N10N3GXKSA1-ND
别名:IPP180N10N3 G
IPP180N10N3 G-ND
IPP180N10N3G
SP000683090
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU024PBF
仓库库存编号:
IRFU024PBF-ND
别名:*IRFU024PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3.9A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP4N80
仓库库存编号:
FQP4N80FS-ND
别名:FQP4N80-ND
FQP4N80FS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA04N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA04N60C3XKSA1-ND
别名:SP000216299
SPA04N60C3
SPA04N60C3IN
SPA04N60C3IN-ND
SPA04N60C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB04N60C3
仓库库存编号:
SPB04N60C3INCT-ND
别名:SPB04N60C3INCT
SPB04N60C3XTINCT
SPB04N60C3XTINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 9.4A(Tc) 48W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU120NPBF
仓库库存编号:
IRFU120NPBF-ND
别名:*IRFU120NPBF
SP001557678
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU04N60C3
仓库库存编号:
SPU04N60C3IN-ND
别名:SP000095850
SPU04N60C3-ND
SPU04N60C3BKMA1
SPU04N60C3IN
SPU04N60C3X
SPU04N60C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RS3E075ATTB
仓库库存编号:
RS3E075ATTBCT-ND
别名:RS3E075ATTBCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11.5A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
TK290P60Y,RQ
仓库库存编号:
TK290P60YRQCT-ND
别名:TK290P60YRQCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 11.5A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
TK290P65Y,RQ
仓库库存编号:
TK290P65YRQCT-ND
别名:TK290P65YRQCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 11.1A(Ta) 100W(Tc) DPAK
型号:
TK11P65W,RQ
仓库库存编号:
TK11P65WRQCT-ND
别名:TK11P65WRQCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 5.2A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 200V 5.2A(Tc) 45W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF7P20
仓库库存编号:
FQPF7P20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 30A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF45N10F7
仓库库存编号:
497-14555-5-ND
别名:497-14555-5
STF45N10F7-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Ta) 800mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS4801NR2G
仓库库存编号:
NTMS4801NR2GOSCT-ND
别名:NTMS4801NR2GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA96EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA96EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA96EP-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 50W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8782
仓库库存编号:
FDD8782CT-ND
别名:FDD8782CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 7.2A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.2A(Ta),23.6A(Tc) 1.9W(Ta) TO-252
型号:
DMPH6050SK3Q-13
仓库库存编号:
DMPH6050SK3Q-13DICT-ND
别名:DMPH6050SK3Q-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 10.8A(Tc) 6W(Tc)
型号:
SQ4431EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4431EY-T1_GE3CT-ND
别名:SQ4431EY-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 100A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 3W(Ta),78W(Tc) PowerFlat?(3.3x3.3)
型号:
STL20N6F7
仓库库存编号:
497-16117-1-ND
别名:497-16117-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 17A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),28A(Tc) 2.5W(Ta),33W(Tc) Power56
型号:
FDMS7578
仓库库存编号:
FDMS7578CT-ND
别名:FDMS7578CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 22.7A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FQD30N06TM
仓库库存编号:
FQD30N06TMCT-ND
别名:FQD30N06TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 45A
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD47N10F7AG
仓库库存编号:
497-16303-1-ND
别名:497-16303-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.3A(Tc) 3.13W(Ta),90W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB7P20TM
仓库库存编号:
FQB7P20TMCT-ND
别名:FQB7P20TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 21A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Ta),21A(Tc) 95W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD2582
仓库库存编号:
FDD2582CT-ND
别名:FDD2582CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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