产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 12.2A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 400V 12.2A(Tc) 100W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF17N40
仓库库存编号:
FQAF17N40-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 17.2A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 400V 17.2A(Tc) 190W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA17N40
仓库库存编号:
FQA17N40-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13.4A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13.4A(Tc) 190W(Tc) TO-3P
型号:
FQA13N50
仓库库存编号:
FQA13N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 26A(Tc) 400W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV26N50P
仓库库存编号:
IXFV26N50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 26A(Tc) 400W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV26N50PS
仓库库存编号:
IXFV26N50PS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 32A(Ta) 1.5W(Ta),93.75W(Tj) DPAK-3
型号:
NTD32N06
仓库库存编号:
NTD32N06-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 32A(Ta) 1.5W(Ta),93.75W(Tj) I-Pak
型号:
NTD32N06-1G
仓库库存编号:
NTD32N06-1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 32A(Ta) 1.5W(Ta),93.75W(Tj) DPAK
型号:
NTD32N06G
仓库库存编号:
NTD32N06G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 11A(Tc) 156W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT11N80KC3G
仓库库存编号:
APT11N80KC3G-ND
别名:APT11N80KC3GMI
APT11N80KC3GMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 230W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA80N10T7
仓库库存编号:
IXTA80N10T7-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 27A(Tc) 3.75W(Ta),150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM27N20-78-E3
仓库库存编号:
SUM27N20-78-E3CT-ND
别名:SUM27N20-78-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 40A(Tc) 3.75W(Ta),107W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM40N10-30-E3
仓库库存编号:
SUM40N10-30-E3CT-ND
别名:SUM40N10-30-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 47A(Tc) 3.75W(Ta),136W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM47N10-24L-E3
仓库库存编号:
SUM47N10-24L-E3CT-ND
别名:SUM47N10-24L-E3CT
SUM47N1024LE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 14A(Tc) 43W(Tc) TO-220F-3
型号:
IRFS644BYDTU_AS001
仓库库存编号:
IRFS644BYDTU_AS001-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 45A TO220SM
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 45A(Ta) 65W(Tc) TO-220SM
型号:
2SK2266(TE24R,Q)
仓库库存编号:
2SK2266(TE24R,Q)-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 14A(Tc) 43W(Tc) TO-220F
型号:
IRFS644B_FP001
仓库库存编号:
IRFS644B_FP001-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 4A(Ta) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
2SK1119(F)
仓库库存编号:
2SK1119(F)-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Ta) 150W(Tc) TO-3P(N)
型号:
2SK3906(Q)
仓库库存编号:
2SK3906(Q)-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Tc) 2.5W(Ta),4.4W(Tc) 8-SO
型号:
SI4636DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4636DY-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 9.8A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 9.8A(Ta),20A(Tc) 3.1W(Ta),35.7W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N04-16P-E3
仓库库存编号:
SUD50N04-16P-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 6A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 6A(Ta),8A(Tc) 2.4W(Ta),24W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P04-40P-T4-E3
仓库库存编号:
SUD50P04-40P-T4-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 38.5A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 38.5A(Tc) 3.1W(Ta),89W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP40N10-30-GE3
仓库库存编号:
SUP40N10-30-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 48A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 48A(Tc) 1.8W(Ta),85W(Tc) TO-263
型号:
NP48N055KLE-E1-AY
仓库库存编号:
NP48N055KLE-E1-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 60A(Tc) 1.8W(Ta),88W(Tc) TO-220
型号:
NP60N04MUG-S18-AY
仓库库存编号:
NP60N04MUG-S18-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 1.8W(Ta),120W(Tc) TO-263
型号:
NP80N04KHE-E1-AY
仓库库存编号:
NP80N04KHE-E1-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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