产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
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  • Rohm Semiconductor - DTB113ESTP - TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
  • Rohm Semiconductor
    TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT

    型号:DTB113ESTP
    仓库库存编号:DTB113ESTPTB-ND
    别名:DTB113ESTP-ND
    DTB113ESTPTB

    产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
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  • Rohm Semiconductor - DTB113ESTP - TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
  • Rohm Semiconductor
    TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT

    型号:DTB113ESTP
    仓库库存编号:DTB113ESTPCT-ND
    别名:DTB113ESTPCT

    产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
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  • NXP USA Inc. - PDTB113ES,126 - TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
  • NXP USA Inc.
    TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3

    型号:PDTB113ES,126
    仓库库存编号:PDTB113ES,126-ND
    别名:934059144126
    PDTB113ES AMO
    PDTB113ES AMO-ND

    产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
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  • NXP USA Inc. - PDTB113ZS,126 - TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
  • NXP USA Inc.
    TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3

    型号:PDTB113ZS,126
    仓库库存编号:PDTB113ZS,126-ND
    别名:934059146126
    PDTB113ZS AMO
    PDTB113ZS AMO-ND

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  • NXP USA Inc. - PDTB123ES,126 - TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
  • NXP USA Inc.
    TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3

    型号:PDTB123ES,126
    仓库库存编号:PDTB123ES,126-ND
    别名:934059142126
    PDTB123ES AMO
    PDTB123ES AMO-ND

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  • NXP USA Inc. - PDTB123TK,115 - TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
  • NXP USA Inc.
    TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK

    型号:PDTB123TK,115
    仓库库存编号:PDTB123TK,115-ND
    别名:934059205115
    PDTB123TK T/R
    PDTB123TK T/R-ND

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  • NXP USA Inc. - PDTB123TS,126 - TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
  • NXP USA Inc.
    TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3

    型号:PDTB123TS,126
    仓库库存编号:PDTB123TS,126-ND
    别名:934059727126
    PDTB123TS AMO
    PDTB123TS AMO-ND

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  • NXP USA Inc.
    TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3

    型号:PDTB123YS,126
    仓库库存编号:PDTB123YS,126-ND
    别名:934059148126
    PDTB123YS AMO
    PDTB123YS AMO-ND

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  • NXP USA Inc. - PDTD113ES,126 - TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
  • NXP USA Inc.
    TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3

    型号:PDTD113ES,126
    仓库库存编号:PDTD113ES,126-ND
    别名:934059141126
    PDTD113ES AMO
    PDTD113ES AMO-ND

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  • NXP USA Inc. - PDTD113ZS,126 - TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
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    TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3

    型号:PDTD113ZS,126
    仓库库存编号:PDTD113ZS,126-ND
    别名:934059145126
    PDTD113ZS AMO
    PDTD113ZS AMO-ND

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  • NXP USA Inc. - PDTD123ES,126 - TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
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    TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3

    型号:PDTD123ES,126
    仓库库存编号:PDTD123ES,126-ND
    别名:934059143126
    PDTD123ES AMO
    PDTD123ES AMO-ND

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  • NXP USA Inc. - PDTD123TK,115 - TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
  • NXP USA Inc.
    TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK

    型号:PDTD123TK,115
    仓库库存编号:PDTD123TK,115-ND
    别名:934059204115
    PDTD123TK T/R
    PDTD123TK T/R-ND

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  • NXP USA Inc. - PDTD123TS,126 - TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
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    TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3

    型号:PDTD123TS,126
    仓库库存编号:PDTD123TS,126-ND
    别名:934059726126
    PDTD123TS AMO
    PDTD123TS AMO-ND

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    TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3

    型号:PDTD123YS,126
    仓库库存编号:PDTD123YS,126-ND
    别名:934059147126
    PDTD123YS AMO
    PDTD123YS AMO-ND

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  • NXP USA Inc. - PDTD113EK,115 - TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
  • NXP USA Inc.
    TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK

    型号:PDTD113EK,115
    仓库库存编号:PDTD113EK,115-ND
    别名:934058965115
    PDTD113EK T/R
    PDTD113EK T/R-ND

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  • NXP USA Inc. - PDTD113ZK,115 - TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
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    TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK

    型号:PDTD113ZK,115
    仓库库存编号:PDTD113ZK,115-ND
    别名:934058969115
    PDTD113ZK T/R
    PDTD113ZK T/R-ND

    产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA,
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