PDTD113EK,115,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置
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PDTD113EK,115 - 

TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

  • 已过时的产品。
NXP USA Inc. PDTD113EK,115
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
PDTD113EK,115
仓库库存编号:
PDTD113EK,115-ND
描述:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PDTD113EK,115产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  
  制造商  NXP USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  SMT3; MPAK  
  晶体管类型  NPN - 预偏压  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  33 @ 50mA,5V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  50V  
  Power - Max  250mW  
  电流 - 集电极截止(最大值)  500nA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  500mA  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  300mV @ 2.5mA,50mA  
  频率 - 跃迁  -  
  电阻器 - 基底(R1)(欧姆)  1k  
  电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆)  1k  
关键词         

产品资料
数据列表 PDTD113E Series
标准包装 3,000
其它名称 934058965115
PDTD113EK T/R
PDTD113EK T/R-ND

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