产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
筛选品牌
Diodes Incorporated (46)
Infineon Technologies (62)
Micro Commercial Co (3)
Rohm Semiconductor (64)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR183SH6327XTSA1
仓库库存编号:
BCR183SH6327XTSA1TR-ND
别名:BCR 183S H6327
BCR 183S H6327-ND
BCR183SH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000756882
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR198SH6327XTSA1
仓库库存编号:
BCR198SH6327XTSA1TR-ND
别名:BCR 198S H6327
BCR 198S H6327-ND
SP000757904
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 70mA, 100mA 100MHz, 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR48PNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BCR48PNH6327XTSA1TR-ND
别名:BCR 48PN H6327
BCR 48PN H6327-ND
SP000757930
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 70mA, 100mA 100MHz, 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR48PNH6433XTMA1
仓库库存编号:
BCR48PNH6433XTMA1TR-ND
别名:BCR 48PN H6433
BCR 48PN H6433-ND
SP000757932
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号:
DCX114EU-7
仓库库存编号:
DCX114EUDICT-ND
别名:DCX114EU7
DCX114EUDICT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
含铅
搜索
Diodes Incorporated
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号:
DCX124EU-7
仓库库存编号:
DCX124EUDICT-ND
别名:DCX124EU7
DCX124EUDICT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
含铅
搜索
Diodes Incorporated
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号:
DDC114EU-7
仓库库存编号:
DDC114EUDICT-ND
别名:DDC114EU7
DDC114EUDICT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
含铅
搜索
Diodes Incorporated
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号:
DDC144EU-7
仓库库存编号:
DDC144EUDICT-ND
别名:DDC144EU7
DDC144EUDICT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
含铅
搜索
Rohm Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT5
型号:
FMG9AT248
仓库库存编号:
FMG9AT248-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA, 150mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
型号:
UMF24NTR
仓库库存编号:
UMF24NTR-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR08PNB6327XT
仓库库存编号:
BCR08PNB6327XTTR-ND
别名:BCR 08PN B6327
BCR 08PN B6327-ND
SP000010726
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR108SE6327BTSA1
仓库库存编号:
BCR108SE6327BTSA1TR-ND
别名:BCR 108S E6327
BCR 108S E6327-ND
BCR108SE6327XT
SP000010743
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR108SE6433HTMA1
仓库库存编号:
BCR108SE6433HTMA1TR-ND
别名:BCR 108S E6433
BCR 108S E6433-ND
BCR108SE6433XT
SP000010740
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR10PNB6327XT
仓库库存编号:
BCR10PNB6327XTTR-ND
别名:BCR 10PN B6327
BCR 10PN B6327-ND
SP000010731
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR10PNE6327BTSA1
仓库库存编号:
BCR10PNE6327BTSA1TR-ND
别名:BCR 10PN E6327
BCR 10PN E6327-ND
BCR10PNE6327XT
SP000010732
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR116SE6327BTSA1
仓库库存编号:
BCR116SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名:BCR 116S E6327
BCR 116S E6327-ND
BCR116SE6327XT
SP000012266
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR119SE6327BTSA1
仓库库存编号:
BCR119SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名:BCR 119S E6327
BCR 119S E6327-ND
BCR119SE6327XT
SP000012331
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR119SE6433HTMA1
仓库库存编号:
BCR119SE6433HTMA1TR-NDTR-ND
别名:BCR 119S E6433
BCR 119S E6433-ND
BCR119SE6433XT
SP000012332
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR129SE6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR129SE6327HTSA1TR-NDTR-ND
别名:BCR 129S E6327
BCR 129S E6327-ND
BCR129SE6327XT
SP000010755
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR133SB6327XT
仓库库存编号:
BCR133SB6327XTTR-NDTR-ND
别名:BCR 133S B6327
BCR 133S B6327-ND
SP000056343
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR133SE6327BTSA1
仓库库存编号:
BCR133SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名:BCR 133S E6327
BCR 133S E6327-ND
BCR133SE6327XT
SP000010761
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR133SE6433BTMA1
仓库库存编号:
BCR133SE6433BTMA1TR-NDTR-ND
别名:BCR 133S E6433
BCR 133S E6433-ND
BCR133SE6433XT
SP000010763
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR135SE6327BTSA1
仓库库存编号:
BCR135SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名:BCR 135S E6327
BCR 135S E6327-ND
BCR135SE6327XT
SP000012335
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR141SE6327BTSA1
仓库库存编号:
BCR141SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名:BCR 141S E6327
BCR 141S E6327-ND
BCR141SE6327XT
SP000012336
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR148SE6327BTSA1
仓库库存编号:
BCR148SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名:BCR 148S E6327
BCR 148S E6327-ND
BCR148SE6327XT
SP000012338
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号