BCR48PNH6327XTSA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

BCR48PNH6327XTSA1 - 

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

  • 零件状态:过时;购买截止日期:12-31-2019。可能有最低购买数量。
Infineon Technologies BCR48PNH6327XTSA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BCR48PNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BCR48PNH6327XTSA1TR-ND
描述:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 70mA, 100mA 100MHz, 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

BCR48PNH6327XTSA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-VSSOP,SC-88,SOT-363  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  上次购买时间  
  供应商器件封装  PG-SOT363-6  
  晶体管类型  1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  70 @ 5mA,5V  
  电流 - 集电极截止(最大值)  -  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  300mV @ 500μA,10mA  
  频率 - 跃迁  100MHz,200MHz  
  电阻器 - 基底(R1)(欧姆)  47k,2.2k  
  电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆)  47k  
  功率 - 最大值  250mW  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  70mA,100mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  50V  
关键词         

产品资料
数据列表 BCR48PN
标准包装 18,000
其它名称 BCR 48PN H6327
BCR 48PN H6327-ND
SP000757930

BCR48PNH6327XTSA1您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

BCR48PNH6327XTSA1相关搜索

封装/外壳 6-VSSOP,SC-88,SOT-363  Infineon Technologies 封装/外壳 6-VSSOP,SC-88,SOT-363  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 6-VSSOP,SC-88,SOT-363  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 6-VSSOP,SC-88,SOT-363   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -   包装 带卷(TR)   Infineon Technologies 包装 带卷(TR)   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 带卷(TR)   Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 带卷(TR)    零件状态 上次购买时间  Infineon Technologies 零件状态 上次购买时间  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 上次购买时间  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 上次购买时间   供应商器件封装 PG-SOT363-6  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-SOT363-6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 PG-SOT363-6  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 PG-SOT363-6   晶体管类型 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)  Infineon Technologies 晶体管类型 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 70 @ 5mA,5V  Infineon Technologies 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 70 @ 5mA,5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 70 @ 5mA,5V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 70 @ 5mA,5V   电流 - 集电极截止(最大值) -  Infineon Technologies 电流 - 集电极截止(最大值) -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止(最大值) -  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止(最大值) -   不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA  Infineon Technologies 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA   频率 - 跃迁 100MHz,200MHz  Infineon Technologies 频率 - 跃迁 100MHz,200MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 100MHz,200MHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 100MHz,200MHz   电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k,2.2k  Infineon Technologies 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k,2.2k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k,2.2k  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k,2.2k   电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k  Infineon Technologies 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k   功率 - 最大值 250mW  Infineon Technologies 功率 - 最大值 250mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 250mW  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 250mW   电流 - 集电极(Ic)(最大值) 70mA,100mA  Infineon Technologies 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 70mA,100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 70mA,100mA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 70mA,100mA   电压 - 集射极击穿(最大值) 50V  Infineon Technologies 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号