产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
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晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号:
NSBC143TPDXV6T5G
仓库库存编号:
NSBC143TPDXV6T5G-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 3A 100MHz 1.5W Surface Mount 8-SO
型号:
PBLS2002S,115
仓库库存编号:
568-7229-1-ND
别名:568-7229-1
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 500mA 300MHz 300mW Surface Mount SOT-666
型号:
PBLS4002V,115
仓库库存编号:
568-7237-1-ND
别名:568-7237-1
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN1906(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN1906(T5LFT)CT-ND
别名:RN1906(T5LFT)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1961FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1961FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN1961FE(TE85LF)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1906FE(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN1906FE(T5LFT)CT-ND
别名:RN1906FE(T5LFT)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1970FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1970FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN1970FE(TE85LF)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount US6
型号:
RN1911(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN1911(T5LFT)CT-ND
别名:RN1911(T5LFT)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2961FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2961FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2961FE(TE85LF)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2966FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2966FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2966FE(TE85LF)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
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TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2970FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2970FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2970FE(TE85LF)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN2901(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN2901(T5LFT)CT-ND
别名:RN2901(T5LFT)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN2906(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN2906(T5LFT)CT-ND
别名:RN2906(T5LFT)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN2910(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN2910(T5LFT)CT-ND
别名:RN2910(T5LFT)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
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TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN4901(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN4901(T5LFT)CT-ND
别名:RN4901(T5LFT)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN4910(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN4910(T5LFT)CT-ND
别名:RN4910(T5LFT)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
型号:
RN1701JE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1701JE(TE85LF)CT-ND
别名:RN1701JE(TE85LF)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
型号:
RN1606(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1606(TE85LF)CT-ND
别名:RN1606(TE85LF)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
型号:
RN2706JE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2706JE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2706JE(TE85LF)CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN4901,LF
仓库库存编号:
RN4901LFCT-ND
别名:RN4901LFCT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-363
型号:
PUMD6/ZLF
仓库库存编号:
PUMD6/ZLF-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-363
型号:
PUMD6/ZLX
仓库库存编号:
PUMD6/ZLX-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR116SE6327BTSA1
仓库库存编号:
BCR116SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名:BCR 116S E6327
BCR 116S E6327-ND
BCR116SE6327XT
SP000012266
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR119SE6327BTSA1
仓库库存编号:
BCR119SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名:BCR 119S E6327
BCR 119S E6327-ND
BCR119SE6327XT
SP000012331
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR119SE6433HTMA1
仓库库存编号:
BCR119SE6433HTMA1TR-NDTR-ND
别名:BCR 119S E6433
BCR 119S E6433-ND
BCR119SE6433XT
SP000012332
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k,
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