PBLS4002V,115,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
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PBLS4002V,115 - 

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

  • 已过时的产品。
NXP USA Inc. PBLS4002V,115
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
PBLS4002V,115
仓库库存编号:
568-7237-1-ND
描述:
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 500mA 300MHz 300mW Surface Mount SOT-666
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PBLS4002V,115产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-563,SOT-666  
  制造商  NXP USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  SOT-666  
  晶体管类型  1 NPN 预偏压式,1 PNP  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  30 @ 10mA,5V / 150 @ 100mA,2V  
  电流 - 集电极截止(最大值)  1μA  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  150mV @ 500μA,10mA / 350mV @ 50mA,500mA  
  频率 - 跃迁  300MHz  
  电阻器 - 基底(R1)(欧姆)  4.7k  
  电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆)  4.7k  
  功率 - 最大值  300mW  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  100mA,500mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  50V,40V  
关键词         

产品资料
数据列表 PBLS4002Y T/R
标准包装 1
其它名称 568-7237-1

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