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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP120N4F6
  仓库库存编号：497-10962-5-ND
  别名：497-10962-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 100V 45A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF100N10F7
  仓库库存编号：497-13830-5-ND
  别名：497-13830-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 293W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E2R3-40E,127
  仓库库存编号：1727-7242-ND
  别名：1727-7242
  568-9850-5
  568-9850-5-ND
  934066416127
  BUK7E2R340E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP95N4F3
  仓库库存编号：497-7536-5-ND
  别名：497-7536-5
  STP95N4F3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI029N06NAKSA1
  仓库库存编号：IPI029N06NAKSA1-ND
  别名：IPI029N06N
  IPI029N06N-ND
  SP000962134
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 45A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 60W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：STI45N10F7
  仓库库存编号：497-14567-5-ND
  别名：497-14567-5
  STI45N10F7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP141NF55
  仓库库存编号：497-7023-5-ND
  别名：497-7023-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI76NF75
  仓库库存编号：497-12266-ND
  别名：497-12266
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF110N10F7
  仓库库存编号：497-13946-5-ND
  别名：497-13946-5
  STF110N10F7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 40A 167W TO220AB
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W Through Hole TO-220
  
  型号：STGP20V60DF
  仓库库存编号：497-13761-5-ND
  别名：497-13761-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT40HP65FB
  仓库库存编号：497-16972-ND
  别名：497-16972
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 269W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN7R0-100ES,127
  仓库库存编号：1727-5897-ND
  别名：1727-5897
  568-7516-5
  568-7516-5-ND
  934064292127
  PSMN7R0-100ES,127-ND
  PSMN7R0100ES127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 405W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN6R3-120ESQ
  仓库库存编号：1727-1508-ND
  别名：1727-1508
  568-10988-5
  568-10988-5-ND
  934067856127
  PSMN6R3-120ESQ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 324W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E1R9-40E,127
  仓库库存编号：1727-1131-ND
  别名：1727-1131
  568-10286
  568-10286-5
  568-10286-5-ND
  568-10286-ND
  934066982127
  BUK7E1R9-40E,127-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 230W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL3306PBF
  仓库库存编号：IRFSL3306PBF-ND
  别名：SP001568072
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLIZ34GPBF
  仓库库存编号：IRLIZ34GPBF-ND
  别名：*IRLIZ34GPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 150A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 326W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN2R6-60PSQ
  仓库库存编号：1727-1057-ND
  别名：1727-1057
  568-10165-5
  568-10165-5-ND
  934067504127
  PSMN2R660PSQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44SPBF
  仓库库存编号：IRFZ44SPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB60NF10-1
  仓库库存编号：497-6185-5-ND
  别名：497-6185-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 55V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：STP110N55F6
  仓库库存编号：497-13552-5-ND
  别名：497-13552-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Tc） 3.1W（Ta） D2PAK
  
  型号：IRFS41N15DPBF
  仓库库存编号：IRFS41N15DPBF-ND
  别名：*IRFS41N15DPBF
  SP001557332
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI045N10N3 G
  仓库库存编号：IPI045N10N3 G-ND
  别名：IPI045N10N3G
  IPI045N10N3GXKSA1
  SP000482424
  SP000683068
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 78.5A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SQP90142E_GE3
  仓库库存编号：SQP90142E_GE3-ND
  别名：SQP90142E_GE3CT
  SQP90142E_GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3207ZGPBF
  仓库库存编号：IRFB3207ZGPBF-ND
  别名：SP001554560
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN4R3-80ES,127
  仓库库存编号：1727-5280-ND
  别名：1727-5280
  568-6708
  568-6708-5
  568-6708-5-ND
  568-6708-ND
  934065164127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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