产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 59A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF3710ZS
仓库库存编号:
AUIRF3710ZS-ND
别名:SP001522564
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P06-15L-E3
仓库库存编号:
SUD50P06-15L-E3CT-ND
别名:SUD50P06-15L-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),70W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL40N10F7
仓库库存编号:
497-13968-1-ND
别名:497-13968-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 40V 60A POWERFLAT
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 60A 60W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
型号:
STL15DN4F5
仓库库存编号:
497-10782-1-ND
别名:497-10782-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V POWERFLAT5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 130A(Tc) 135W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL130N8F7
仓库库存编号:
497-13965-1-ND
别名:497-13965-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Ta),80A(Tc) 254W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP8442_F085
仓库库存编号:
FDP8442_F085-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD19N20-90-E3
仓库库存编号:
SUD19N20-90-E3CT-ND
别名:SUD19N20-90-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 176W(Tj) I2PAK(TO-262)
型号:
FDI9406_F085
仓库库存编号:
FDI9406_F085-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN070-200P,127
仓库库存编号:
1727-4662-ND
别名:1727-4662
568-5779
568-5779-5
568-5779-5-ND
568-5779-ND
934055718127
PSMN070-200P
PSMN070-200P,127-ND
PSMN070-200P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 150W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SQJQ410EL-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ410EL-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ410EL-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 150W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SQJQ100E-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ100E-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ100E-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 143W(Tc) DPAK
型号:
STD130N4F6AG
仓库库存编号:
497-15459-1-ND
别名:497-15459-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 40A 167W TO3PF
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W Through Hole TO-3P
型号:
STGWT20V60F
仓库库存编号:
497-13962-5-ND
别名:497-13962-5
STGWT20V60F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 272W(Tc) TO-220-5
型号:
BUK7907-55AIE,127
仓库库存编号:
1727-2025-ND
别名:1727-2025
568-12144-5-ND
568-12144-ND
934057273127
BUK7907-55AIE
BUK7907-55AIE,127-ND
BUK7907-55AIE-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 231W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL40B212
仓库库存编号:
IRL40B212-ND
别名:SP001578760
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263
型号:
SQM120N04-1M7L_GE3
仓库库存编号:
SQM120N04-1M7L_GE3CT-ND
别名:SQM120N04-1M7L-GE3-ND
SQM120N04-1M7L-GE3CT-ND
SQM120N04-1M7L_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1100V 50A 300W TO3PN
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1100V 50A 300W Through Hole TO-3PN
型号:
FGA50S110P
仓库库存编号:
FGA50S110P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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STMicroelectronics
IGBT 650V 60A 260W TO-220AB
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 60A 260W Through Hole TO-220
型号:
STGP30H65F
仓库库存编号:
497-14558-5-ND
别名:497-14558-5
STGP30H65F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 24A 50W Surface Mount 12-Power3.3x5
型号:
FDMD8240LET40
仓库库存编号:
FDMD8240LET40CT-ND
别名:FDMD8240LET40CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 220A PSOF8
详细描述:表面贴装 N 沟道 220A(Tc) 300W(Tj) 8-PSOF
型号:
FDBL86366_F085
仓库库存编号:
FDBL86366_F085CT-ND
别名:FDBL86366_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SUM40010EL-GE3
仓库库存编号:
SUM40010EL-GE3CT-ND
别名:SUM40010EL-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 63.5A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SUM10250E-GE3
仓库库存编号:
SUM10250E-GE3TR-ND
别名:SUM10250E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 63.5A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SUM10250E-GE3
仓库库存编号:
SUM10250E-GE3CT-ND
别名:SUM10250E-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 240A PSOF8
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 300W(Tj) 8-PSOF
型号:
FDBL9406_F085
仓库库存编号:
FDBL9406_F085CT-ND
别名:FDBL9406_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 30A
详细描述:表面贴装 P 沟道 30A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ463EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ463EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ463EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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