产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 54A
详细描述:表面贴装 N 沟道 54A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD64N4F6AG
仓库库存编号:
497-16304-1-ND
别名:497-16304-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJB60EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJB60EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJB60EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A (Tc) 34W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJB40EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJB40EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJB40EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 45A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta),45A(Tc) 90W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD20AN06A0_F085
仓库库存编号:
FDD20AN06A0_F085CT-ND
别名:FDD20AN06A0_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 65A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Tc) 100W(Tj) Power56
型号:
FDMS86569_F085
仓库库存编号:
FDMS86569_F085CT-ND
别名:FDMS86569_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 71W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD70140EL_GE3
仓库库存编号:
SQD70140EL_GE3TR-ND
别名:SQD70140EL_GE3TR
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 71W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD70140EL_GE3
仓库库存编号:
SQD70140EL_GE3CT-ND
别名:SQD70140EL_GE3-ND
SQD70140EL_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 75W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76419D3ST
仓库库存编号:
HUFA76419D3STCT-ND
别名:HUFA76419D3STCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 16.3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.3A(Ta),70A(Tc) 3.1W(Ta) TO-252
型号:
DMTH6010SK3-13
仓库库存编号:
DMTH6010SK3-13DICT-ND
别名:DMTH6010SK3-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Surface Mount DPAK
型号:
STGD6M65DF2
仓库库存编号:
497-16966-1-ND
别名:497-16966-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 60V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 2.1W(Ta),100W(Tc) DPAK
型号:
DMTH6005LK3-13
仓库库存编号:
DMTH6005LK3-13DICT-ND
别名:DMTH6005LK3-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 4.8W(Ta), 55W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL8N6LF6AG
仓库库存编号:
497-16505-1-ND
别名:497-16505-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.9A(Ta),82A(Tc) 3.1W(Ta),96W(Tc) DPAK
型号:
NVD5863NLT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD5863NLT4G-VF01CT-ND
别名:NVD5863NLT4G-VF01CT
NVD5863NLT4GOSCT
NVD5863NLT4GOSCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET ARRAY N-CH 60V 7.6A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7.6A (Ta) 1.4W, 1.9W Surface Mount 8-SO
型号:
DMTH6016LSDQ-13
仓库库存编号:
DMTH6016LSDQ-13DICT-ND
别名:DMTH6016LSDQ-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 14.2A
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.2A(Ta),59A(Tc) 3.2W(Ta), 60W(Tc) TO-252
型号:
DMTH6009LK3-13
仓库库存编号:
DMTH6009LK3-13DICT-ND
别名:DMTH6009LK3-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS4480
仓库库存编号:
FDS4480CT-ND
别名:FDS4480CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 4.8W(Ta),62.5W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL58N3LLH5
仓库库存编号:
497-16041-1-ND
别名:497-16041-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 13.5A
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.5A(Ta),100A(Tc) 2.6W(Ta), 136W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMTH6010LPS-13
仓库库存编号:
DMTH6010LPS-13DICT-ND
别名:DMTH6010LPS-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),46A(Tc) 3.3W(Ta),56W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6690A
仓库库存编号:
FDD6690ACT-ND
别名:FDD6690ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 100V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 34A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual Asymmetric
型号:
SQJ990EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ990EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ990EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJ912AEP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ912AEP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ912AEP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.4A(Ta),101A(Tc) 2.5W(Ta),93.75W(Tc) DPAK
型号:
NTD5802NT4G
仓库库存编号:
NTD5802NT4GOSCT-ND
别名:NTD5802NT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.6W(Ta) TO-252
型号:
DMNH4011SK3Q-13
仓库库存编号:
DMNH4011SK3Q-13DICT-ND
别名:DMNH4011SK3Q-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 4A 8POWERFLAT
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Tc) 75W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL12P6F6
仓库库存编号:
497-13840-1-ND
别名:497-13840-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 306W(Tc) D2PAK
型号:
BUK661R6-30C,118
仓库库存编号:
1727-5516-1-ND
别名:1727-5516-1
568-6995-1
568-6995-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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