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SQJ990EP-T1_GE3 - 

MOSFET ARRAY 2N-CH 100V SO8

Vishay Siliconix SQJ990EP-T1_GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SQJ990EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ990EP-T1_GE3CT-ND
描述:
MOSFET ARRAY 2N-CH 100V SO8
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 34A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual Asymmetric
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

SQJ990EP-T1_GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  PowerPAK? SO-8 双  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  汽车级,AEC-Q101,TrenchFET?  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PowerPAK? SO-8 双通道不对称  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  30nC @ 10V,15nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  40 毫欧 @ 6A,10V,19 毫欧 @ 10A,10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  34A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1390pF @ 25V,650pF @ 25V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.5V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  100V  
  功率 - 最大值  48W  
关键词         

产品资料
数据列表 SQJ990EP
标准包装 1
其它名称 SQJ990EP-T1_GE3CT

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