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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN3R0-60PS,127
  仓库库存编号：1727-4285-ND
  别名：1727-4285
  568-4974-5
  568-4974-5-ND
  934064275127
  PSMN3R060PS127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN4R3-100PS,127
  仓库库存编号：1727-6499-ND
  别名：1727-6499
  568-8595-5
  568-8595-5-ND
  934066115127
  PSMN4R3100PS127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 120A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL3207ZPBF
  仓库库存编号：IRFSL3207ZPBF-ND
  别名：SP001552364
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4310ZPBF
  仓库库存编号：IRFSL4310ZPBF-ND
  别名：SP001557618
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN4R3-80PS,127
  仓库库存编号：1727-5285-ND
  别名：1727-5285
  568-6713
  568-6713-5
  568-6713-5-ND
  568-6713-ND
  934065171127
  PSMN4R380PS127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN3R3-80PS,127
  仓库库存编号：1727-6501-ND
  别名：1727-6501
  568-8597-5
  568-8597-5-ND
  934066132127
  PSMN3R380PS127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP200NF03
  仓库库存编号：497-6738-5-ND
  别名：497-6738-5
  STP200NF03-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 120V 70A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 405W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN6R3-120PS
  仓库库存编号：1727-1060-ND
  别名：1727-1060
  568-10168-5
  568-10168-5-ND
  934067189127
  PSMN6R3120PS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 63A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP10250E-GE3
  仓库库存编号：SUP10250E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN1R6-30PL,127
  仓库库存编号：1727-4269-ND
  别名：1727-4269
  568-4900-5
  568-4900-5-ND
  934063916127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN4R4-80PS,127
  仓库库存编号：1727-4265-ND
  别名：1727-4265
  568-4896-5
  568-4896-5-ND
  934063914127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP40010EL-GE3
  仓库库存编号：SUP40010EL-GE3-ND
  别名：SUP40010EL-GE3TR
  SUP40010EL-GE3TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN5R0-100PS,127
  仓库库存编号：1727-5290-ND
  别名：1727-5290
  568-6718
  568-6718-5
  568-6718-5-ND
  568-6718-ND
  934065172127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3206GPBF
  仓库库存编号：IRFB3206GPBF-ND
  别名：SP001565784
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN1R5-40ES,127
  仓库库存编号：1727-5289-ND
  别名：1727-5289
  568-6717
  568-6717-5
  568-6717-5-ND
  568-6717-ND
  934065161127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ44SPBF
  仓库库存编号：IRLZ44SPBF-ND
  别名：*IRLZ44SPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP60030E-GE3
  仓库库存编号：SUP60030E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 128A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP80090E-GE3
  仓库库存编号：SUP80090E-GE3-ND
  别名：SUP80090E-GE3CT
  SUP80090E-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 263W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP045N10A_F102
  仓库库存编号：FDP045N10A_F102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 150A SOT78
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN1R9-40PLQ
  仓库库存编号：1727-1851-ND
  别名：1727-1851
  568-11542
  568-11542-ND
  934067498127
  934067606127
  PSMN1R9-40PLQ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 36A 206W TO220AB
  详细描述：IGBT Trench 600V 36A 206W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRGB4061DPBF
  仓库库存编号：IRGB4061DPBF-ND
  别名：SP001536144
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 38A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 45W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP80NF10FP
  仓库库存编号：497-5897-5-ND
  别名：497-5897-5
  STP80NF10FP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 246W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP027N08B_F102
  仓库库存编号：FDP027N08B_F102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN2R0-60ES,127
  仓库库存编号：1727-5281-ND
  别名：1727-5281
  568-6709
  568-6709-5
  568-6709-5-ND
  568-6709-ND
  934065162127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN5R0-100ES,127
  仓库库存编号：1727-5286-ND
  别名：1727-5286
  568-6714
  568-6714-5
  568-6714-5-ND
  568-6714-ND
  934065165127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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