产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB021N06N3GATMA1
仓库库存编号:
IPB021N06N3GATMA1CT-ND
别名:IPB021N06N3 GCT
IPB021N06N3 GCT-ND
IPB021N06N3G
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB034N06N3GATMA1
仓库库存编号:
IPB034N06N3GATMA1CT-ND
别名:IPB034N06N3 GCT
IPB034N06N3 GCT-ND
IPB034N06N3G
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 75A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD110N12N3GBUMA1
仓库库存编号:
IPD110N12N3GBUMA1CT-ND
别名:IPD110N12N3 GCT
IPD110N12N3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD600N25N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD600N25N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD600N25N3 GCT
IPD600N25N3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 74A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 40V 56A(Ta) 143W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9204PBF
仓库库存编号:
IRF9204PBF-ND
别名:SP001555810
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 120A(Tc) 370W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3077GPBF
仓库库存编号:
IRFB3077GPBF-ND
别名:SP001555982
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 130A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4310GPBF
仓库库存编号:
IRFB4310GPBF-ND
别名:SP001564018
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4310ZGPBF
仓库库存编号:
IRFB4310ZGPBF-ND
别名:SP001575544
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 33A 210W TO247AC
详细描述:IGBT Trench 1200V 33A 210W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG7PH30K10PBF
仓库库存编号:
IRG7PH30K10PBF-ND
别名:SP001537520
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 55A 210W TO247AC
详细描述:IGBT Trench 1200V 55A 210W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG7PH35UPBF
仓库库存编号:
IRG7PH35UPBF-ND
别名:SP001545868
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 130A 469W TO247AC
详细描述:IGBT Trench 1200V 130A 469W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG7PH46UPBF
仓库库存编号:
IRG7PH46UPBF-ND
别名:SP001537412
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
IGBT 600V 96A 330W TO247AD
详细描述:IGBT Trench 600V 96A 330W Through Hole TO-247AD
型号:
IRGP4063-EPBF
仓库库存编号:
IRGP4063-EPBF-ND
别名:IRGP4063EPBF
SP001536298
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
IGBT 600V 76A 268W TO247AC
详细描述:IGBT Trench 600V 76A 268W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGP4069PBF
仓库库存编号:
IRGP4069PBF-ND
别名:SP001542388
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 195A(Tc) 380W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLB3036GPBF
仓库库存编号:
IRLB3036GPBF-ND
别名:SP001558722
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 86A(Tc) 75W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU8726PBF
仓库库存编号:
IRLU8726PBF-ND
别名:SP001573088
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 58A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 58A(Tc) 55W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU8729-701PBF
仓库库存编号:
IRLU8729-701PBF-ND
别名:IRLU8729PBF
IRLU8729PBF-ND
SP001552984
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 120A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1405ZSTRL7PP
仓库库存编号:
IRF1405ZSTRL7PPCT-ND
别名:IRF1405ZSTRL7PPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 12A(Ta),39A(Tc) 1.8W(Ta),21W(Tc) DIRECTFET S1
型号:
IRF6709S2TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6709S2TR1PBFCT-ND
别名:IRF6709S2TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15A 2.7W Surface Mount DIRECTFET? MA
型号:
IRF6723M2DTR1P
仓库库存编号:
IRF6723M2DTR1PCT-ND
别名:IRF6723M2DTR1PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 16A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR024ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR024ZTRPBFCT-ND
别名:IRLR024ZTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 150A TO263CA-7
详细描述:通孔 N 沟道 55V 120A(Tc) 230W(Tc) TO-263CA-7
型号:
IRF1405ZL-7PPBF
仓库库存编号:
IRF1405ZL-7PPBF-ND
别名:SP001563240
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 81A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 81A(Tc) 63W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU8256PBF
仓库库存编号:
IRLU8256PBF-ND
别名:SP001568656
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 57A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 57A(Tc) 48W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU8259PBF
仓库库存编号:
IRLU8259PBF-ND
别名:SP001574068
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 59A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707ZCSTRRP
仓库库存编号:
IRF3707ZCSTRRPCT-ND
别名:IRF3707ZCSTRRPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 30A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3504TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3504TRPBFCT-ND
别名:IRFR3504TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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