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IPD110N12N3GBUMA1 - 

MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

  • 已过时的产品。
Infineon Technologies IPD110N12N3GBUMA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IPD110N12N3GBUMA1
仓库库存编号:
IPD110N12N3GBUMA1CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 120V 75A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IPD110N12N3GBUMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  OptiMOS??  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  PG-TO252-3  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  65nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  11 毫欧 @ 75A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  75A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  4310pF @ 60V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4V @ 83μA  
  功率耗散(最大值)  136W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  120V  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 IPD110N12N3 GCT
IPD110N12N3 GCT-ND

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